长江存储：QLC闪存已完成4000次P / E擦写，采用第三代Xtacking技术

　　据台湾媒体DIGITIMES 引述长江存储的发言人称，公司截至X3-6070QLC闪存已通过第三代Xtacking技术取得了3，000次P/E的擦写寿命突破。

　　另外，结合消费级原厂TLC固态硬盘常见的3，000次以上P/E擦写寿命表现进行对比，可以看出长江存储的进展显著。

　　值得注意的是，长江存储首席技术官（CTO）霍宗亮指出，NAND闪存行业已经在饱受煎熬的2023年逐步复苏，并有望在2023~2027年间实现21%的复合增长率以及20%的累计设备平均容量增长。

　　新的市场趋势包括每GB成本的快速下降、读写性能持续增强以及如何满足多元的客户需求。客户愿意付出同样的代价换取更多存储密度。

　　针对密度提升的问题，业界转向QLC NAND的研发日益凸显，特别是预计到2027年时，QLC的市占率将跃升至40%，远超出过去的13%。

　　长江存储强调，公司运用第三代Xtacking技术的X3-6070QLC闪存已经可以与上代产品相比表现出IO性能提升50%、存储密度增加70%以及擦写寿命达到4，000次P/E的可喜进步。

　　这项成果说明长江存储的QLC技术已然成熟，为向企业级存储和移动终端等多个领域拓展奠定了基础。在场的忆恒创源在此次峰会上便选择展示使用长存QLC闪存的PBlaze7 7340系列数据中心级固态硬盘。

　　在涉及QLC的技术细节上，Xtacking的CMOS电路和闪存阵列分离设计增加了算法的灵活性，进一步提高了QLC的可靠性。此外，依靠第三代Xtacking技术，可以实现更广泛的电压调制范围，进一步提高了读取窗口的可靠性。

　　长江存储在大会现场还展出了PC41Q消费级QLC固态硬盘，其中，顺序读写带宽高达5500MB/s；长江存储宣称这款固态硬盘的数据稳定性及可靠性不亚于TLC固态硬盘，可实现30℃下连续两年的数据保持以及长达200万小时的无故障工作时间。