高通发布第三代LTE芯片组

MWC展会当地28日，高通发布了其下一代Gobi™调制解调器芯片组MDM8225™、MDM9225™和MDM9625™，是业内首批可支持LTE载波聚合和数据传输速率高达150 Mbps的LTE Category 4的芯片组。芯片将于2012年第四季度开始出样，这三款芯片组也是首批支持HSPA+版本10和下一代LTE移动宽带标准LTE增强型的芯片组。

据了解，MDM9225和MDM9625芯片组也将是首批支持LTE载波聚合和数据传输速率高达150 Mbps的LTE Category 4的芯片组，使网络运营商可以提升其LTE服务区域的宽带速度。据悉，这几款芯片组采用28纳米制造工艺，在性能和功耗方面均有显著提升，并将支持多种移动宽带技术，为智能手机、平板电脑、超便携笔记本电脑、便携式无线热点设备、数据收发器和客户前提设备提供同类最佳的移动宽带体验。

据介绍，LTE载波聚合是一项重要技术，可以在一个频段内及跨频段将多个无线电信道结合在一起，从而提高用户的数据传输速率，减少延迟，并为没有20 MHz连续频谱的运营商提供Category 4功能。MDM9225和MDM9625芯片组是目前唯一能够支持载波聚合技术的移动宽带芯片组，OEM厂商可以利用这些芯片组打造能够充分利用LTE增强型网络优势的终端。

MDM9225和MDM9625芯片组是高通公司的第三代LTE调制解调器芯片组。除了同时支持LTE增强型(LTE版本10)和HSPA+版本10(包括84 Mbps的双载波HSDPA)，还向后兼容其它标准，包括EV-DO增强型、TD-SCDMA和GSM。

据介绍，MDM9225和MDM9625芯片组将业界唯一可整合7种不同无线电接入模式的调制解调器集成到了一款单基带芯片上，其中包括：CDMA2000(1X、DO)、GSM/EDGE、UMTS(WCDMA、TD-SCDMA)以及LTE(LTE-FDD 和LTE-TDD)。这使得OEM厂商可以设计出能够在全球各地日益多样化的无线电网络上部署和配置的各种移动终端。