深圳芯能半导体获IGBT芯片专利，创新接触孔连接ESD结构提升安全性

　　导语：近日，深圳芯能半导体技术有限公司（下文简称：芯能半导体）宣布已获得一项有关IGBT芯片的重大专利——“一种带有ESD结构的IGBT芯片及制作方法”，这一专利的颁布不仅保障了产品安全性，还提高了芯片工作效率。

　　此次专利的申请日期为2023年8月22日，授权公示日为2024年3月26日，授权公告号为CN116779666B。此项专利主要涉及的新型IGBT芯片结构，其特征在于采用自上而下的顶层金属层、ESD结构、多晶硅层等多种组件相互配合，实现稳定的电路运行。

　　发明的核心亮点是将多晶硅层顶部水平设置一层水平多晶硅，在该层上还横向安放NPN结构，进一步构建出ESD防护结构。利用这种方法，将多晶硅层和接触孔通过ESD结构连接起来，确保栅极和发射极能得到有效保护。

　　值得注意的是，接触孔采用的是与发射极所在的N+区域相连接的方式，使栅极多晶硅与发射极之间得以基于ESD结构形成并联关系，从而显著提升了产品性能和安全保障。

　　该项发明为行业内IGBT芯片研发和生产带来了新的思路和发展方向，降低了制造门槛并确保了产品质量。未来，芯能半导体将会继续投入更多科研力量，推动晶体管领域的技术进步和市场拓展。