三星2025年后将首家进入3D DRAM内存时代

　　据Semiconductor Engineering报道，三星公司日前宣布，其计划于2025年后引领3D DRAM内存新时代。DRAM内存领域预计将在未来十余年内将线宽缩小到10nm级别。为应对此挑战，业内正积极研究如3D DRAM等新型内存解决方案。

　　在Memcon 2024上，三星披露了两款全新的3D DRAM内存技术——垂直通道晶体管和堆栈DRAM。垂直通道晶体管通过降低器件面积占用，实现性能提升；堆栈DRAM则通过空间立体利用，有效提高了储存容量至100G以上。

　　根据预测，3D DRAM市场规模有望在2028年达到1000亿美元，这无疑吸引了业内各大厂商的激烈争夺。为此，三星早前就在美国加州设立了一家新的3D DRAM研发实验室，以期在这场竞争中占据领先地位。