中芯国际专利获新型半导体器件

　　据天眼查披露，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司近期获得了一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利用于2024年3月26日，授权公告码为CN111900088B，申请日期为2019年5月5日。

　　该发明提出一种制备半导体器件的新方法，首先需要在基板上制备划分明确且排列整齐的鳍部；之后在基板上构建覆于鳍部之上的伪栅结构；再制备并在伪栅结构上方安装一层第一层间介电层，此层上表面比伪栅结构低；接着需确定切割开口的形状和位置；最后用腐蚀的方式逐渐揭露衬底层，形成指定大小的切割口；然后制在第一层间介电层之上覆盖上一层第二层间介电层，以填充剪切口，使其顶部与伪栅结构达到平整状态；这项发明能显著提高半导体器件的工作稳定性。