押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存储芯片大厂旗舰新品汇总

电子发烧友原创 章鹰

 

4月1日，韩国股市开盘后，存储大厂SK海力士一度涨幅超过4%，市值已超过 1,000 亿美元，受益于投资者持续买入AI相关股票，由于市场对于SK海力士高带宽内存（HBM）的需求激增，SK海力士的股价在过去一年暴增一倍以上。

 

无独有偶，3月28日，在加州圣荷西举行的全球芯片制造商聚会 Memcon 2024 上，三星公司执行副总裁兼 DRAM 产品和技术主管 Hwang Sang-joong 表示，三星公司将增加 HBM 芯片产量，今年产量是去年的 2.9 倍。据悉三星电子的市场规模较大，市值超过3600亿美元，是闪存技术的引领者，过去一年三星股价涨31%。

 

美国存储大厂美光公司在 3 月 20 日举行的公司第二财季法说会上指出，市场对其HBM的需求强劲。首席执行官 Sanjay Mehrotra 预计，2024 财年HBM将创造数亿美元的营收。

 

近日，在CFMS闪存峰会上，三星电子、SK海力士、美光和西部数据四家公司展示最新用于手机、PC、AI服务器和数据中心的旗舰存储产品，本文进行汇总。

 

聚焦手机和数据中心，三星展示1TB UFS4.0和CXL新品

 

在闪存峰会上，三星电子执行副总裁吴和锡表示，三星是闪存技术的引领者，三星在2023年推出第一款QLC UFS产品，目前已经开始量产并成功商业化。在手机UFS技术发展推动上，三星目标是尽快将UFS顺序读写能力提高一倍。
 

 

 

现场展出的三星UFS4.0产品，UFS4.0为每通道提供高达23.2Gbps的带宽，是UFS3.1的两倍，使其“非常适合需要大量数据处理的5G智能手机”。三星展示的移动存储UFS4.0容量高达1TB，这款产品采用三星第8代V-NAND技术实现高达4,200 MB/s的顺序读取速度和高达2,800MB/s的顺序写入速度，显著高于UFS3.1的读写速度和写入速度。这款产品在小型化方面也有创新，较上一代V7减少了高达26%的封装体积，配合5G手机需求。

 

据悉，目前UFS4.0产品最大顺序读取性能为4GB/s，要成长一倍到8GB/s要到UFS5.0才可以实现。为了顺应LLM大语言模型的应用，三星目前正在开发更高带宽的UFS4.0产品，计划2025年大规模量产4通道UFS产品。三星的产品路线图上显示，2027年三星UFS5.0计划量产上市。

 

 

面向数据中心，三星去年推出了PM9D3a系列的SSD产品，这是一款适用于大型数据中心级的8通道PCle 5.0固态硬盘。8TB SSD可以达到每TB 50K IOPS性能，性能和效率比上一代提高1.6倍。三星还提到，FDP时代来临，数据放置技术延长设备使用寿命，主要分为OC-SSD和ZNS等技术，设备到主机通过接收提示来控制数据的FDP技术出现。

 

 

三星还展出了CXL Memory Module Hybrid，作为基于CXL2.0接口的存储产品，结合了NAND和DRAM技术，帮助AI和ML系统在处理大规模数据集时，实现高效的处理速度和有效的数据访问。这款产品容量最高可达256GB，支持内存池化、热插拔，通过了CXL1.1合规性测试的所有项目。

 

SK海力士推出企业级PCLe Gen5 SSD，美光HBM3E产品送样

 

SK海力士执行副总裁兼NAND解决方案开发部负责人安炫表示：“在多模态AI时代，数据来自于手机、笔记本电脑、传感器和服务器，这些数据都在云端汇集，创造了独特的存储需求，比方说手机存储必须要更快，虽然功耗很低，但需要处理复杂的数据集。数据中心需要大容量和高效的存储。数据的复杂性使得高性能与大容量存储成为必然趋势。”
 

 

以H-TPU为核心，SK海力士推出了企业级和消费级类的PCle Gen5 SSD。H-TPU架构，是一种特定领域的微处理器，其大小相当于ARM R8核心的1/25。基于H-TPU架构，SK海力士推出了PS1010和PS1030两款企业级的PCle Gen5 SSD。

 

这两款16通道的硬盘驱动器，与行业平均水平相比，顺序性能提高了50%，随机性能提升了30%，热性能提高了13%。目前，这两款产品已经完成了第一批客户验证，现在准备批量发货。

 

HBM是一种新型的CPU/GPU内存芯片，全称为High Bandwidth Memory，即高带宽存储器，专门用于高性能计算和图形处理领域，具有高带宽、低延迟和低功耗等特点，被广泛应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）等领域。

 

目前，HBM市场竞争主要集中在SK海力士、三星及美光三大原厂。Trendforce集邦咨询预计，2023年三大厂商在HBM领域的市占率分别为53%、38%、9%。今年3月19日，SK海力士宣布其超高性能AI存储器HBM3E开始向客户供货；三星则预计将于今年下半年开始大规模量产12层堆叠HBM3E DRAM，目前已开始向客户提供样品。

 

美光企业副总裁暨存储事业部总经理 Jeremy Werner表示，随着AI技术的飞速发展和应用场景的不断拓展，大规模的AI模型对算力的需求与日俱增。美光已经量产了HBM3E产品，目前正在送样阶段。12层堆栈的HBM3E产品容量可以达到36GB，性能方面，美光HBM3E的引脚速度超过9.2Gb/s，可以提供超过1.2TB/s的内存带宽，每瓦性能提升2.5倍。

 

围绕AI PC、数据中心和汽车，西部数据推出三大旗舰产品

 

西部数据公司中国区智能终端产品事业部高级销售总监文芳表示：“当下人工智能、机器学习以及自动驾驶等大量数据密集型应用场景正高速发展。这意味着创新的NAND闪存技术在推动更高性能、更低时延的存储解决方案方面将扮演更为重要的角色。”

 

西部数据的展台有三大类产品展示为主。一类是嵌入式闪存驱动器，西部数据展示了iNAND AT EU552 UFS3.1解决方案, 它是针对自动驾驶和网联汽车推出车规级UFS 3.1存储解决方案。这款产品的优势在于采用了112层的3D NAND技术，顺序读取速度高达1,600MB/s，顺序写入速度高达1,200MB/s，适用于eCockpit, ADAS与自动驾驶解决方案。凭借iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式闪存驱动器，西部数据成为了首批通过 ASPICE CL3（等级3）的数据存储解决方案提供商。
 

 

第二类是聚焦在PC领域。针对商用PC OEM厂商，西部数据推出了顺序读取速度高达6,000MB/s的 PC SN5000S NVMe SSD。这款搭载了高性能QLC（四级单元）的西部数据PC SN5000S NVMe SSD，为 PC OEM 厂商提供了创新的PCIe Gen4x4 存储解决方案，帮助用户轻松应对繁重的工作负载。

 

 

第三类是应用于数据中心的西部数据Ultrastar DC SN655 NVMe SSD。随着新型应用、用例和网联设备的与日俱增，数据中心客户对于构建更具成本效益、可扩展性和可持续性的基础架构的需求日益增加。现场工作人员表示，西部数据Ultrastar DC SN655 NVMe SSD是一款高性价比和低功耗垂直集成的SSD，容量可从3.84TB扩展到15.36TB，可满足存储和混合工作负载计算应用的要求，这款产品还提供了简单且可扩展的单端口或双端口路径，确保满足企业高可用性要求下的持续数据访问。

 

小结

 

随着大模型的快速爆发，加速了对AI服务器需求，AI服务器中搭载高容量HBM，以及对DDR5的容量需求是普通服务器的2-4倍。目前高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成主流。此外，在服务器领域，为满足更高容量、更好性能的应用需求，2024年server PCIe5.0 SSD的渗透率将较2023年翻倍成长。汽车也成为存储的潜力增长市场，这些都是存储厂商细分市场的增长亮点。

 

三星、SK海力士、美光和西部数据在这些细分市场推出的新品，将要接受中国客户和全球客户的检验，2024年存储市场有怎样的增长，终端、服务器和数据中心市场将牵引存储需求发生哪些变化，我们将继续跟进报道。