铠侠计划2030-2031年推出千层级3D NAND闪存，并开发存储级内存（SCM）

　　据日经 xTECH报道，东京时间4月7日，铠侠CTO宫岛英史在71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示，公司计划于2030至2031年间推出1000层的3D NAND闪存芯片，与此同时，他们也对存储级内存（SCM）部门进行了重大调整。

　　目前，铠侠和西部数据共同研发NAND闪存技术，他们最杰出的作品便是218层堆叠的BICS8 3D闪存，这项产品能达到的传输速度高达3200MT/s。

　　韩国三星作为另一大NAND厂商，早在去年就已经在技术日上透露，预计在2030年推出超过1000层的3D NAND闪存。

　　然而，想要实现更高的堆叠层次并非易事，尤其是在进行垂直通道刻蚀时会遇到挑战。随着工艺要求一步步提高，蚀刻深宽比的难度也在增加，但这不仅需要极高的技术水平，更需要付出巨大的成本。

　　为了解决这些问题，铠侠在BICS8中采用了独特的双堆栈工艺，这样可以分别完成两座NAND堆栈的垂直通道刻蚀，从而减轻了单项目前满足1小时蚀刻需求所需的工作强度和成本压力。虽然如此，未来千层堆叠的NAND闪存有可能包含多个NAND堆栈。

　　另外，宫岛英史认为，尽管铠侠在同时经营NAND和DRAM方面具有多元化的优势，但相较于其他竞争对手他们仍较为依赖NAND技术，因此他们拟发展包括SCM在内的多种新型存储产品以提升竞争力。他解释说，在AI盛行的当下，DRAM和NAND之间的性能差异已经越来越明显，而SCM正好可以填补这个空缺。

　　今年4月1日，铠侠将原有的“存储器技术研究实验室”重组成了专注于新型存储研究的“先进技术研究实验室”。新实验室将重点研究MRAM、FeRAM、ReRAM等各种新型内存方案。据了解，铠侠已在XL-FLASH闪存方案上投入大量精力，最近更是推出了第二代XL-FLASH闪存，支持MLC模式。