沃尔弗斯普莱特与采埃孚合作投资的德国8英寸SiC晶圆厂计划可能延期至2025年始动。
去年2月1日,沃尔弗斯普莱特公司及采埃孚公司达成战略联盟,共同设立创新实验室,并运用碳化硅系统及设备技术推动出行、工业及能源三大领域的发展。此外,采埃孚承诺投入大量资源,以协助在恩斯多夫打造全球规模最大且最尖端的200毫米碳化硅晶圆生产基地。同年5月,二者决定在德国纽伦堡市区设立碳化硅电力电子欧亚研究所。
据悉,该座选址在萨尔州恩斯多夫的8英寸SiC晶圆厂计划由沃尔弗斯普莱特负责筹备,耗资约27.5亿欧元(约等于215亿人民币),同时得到德国联邦政府以及萨尔州政府的共计4.1亿欧元(约等于28亿人民币)资助。另据报道,沃尔弗斯普莱特正在争取《欧盟芯片法》的资金援助。采埃孚将向其提供数亿美元的财务赞助,交换该厂少数股权。
知情人士表示,沃尔弗斯普莱特期待在奠基仪式前能够获得更多资金,若未能成功申请到法案资金,工程可能推迟。根据公司CEO格雷格·洛伊透露,此前预订的2024年夏动工时间现已调整为2025年。
有意思的是,近期,沃尔弗斯普莱特耗费50亿美元(折合人民币约361亿元)在美国北卡罗来纳州查塔姆县建成了“约翰·帕尔默碳化硅制造中心”。这座工厂将主要用于生产200毫米的SiC晶圆,进一步增强材料供给能力以应对能源转型及AI人工智能所面临的新世代半导体需求。
该厂以已故联合创始人约翰·帕尔默之名命名。其总投资额高达50亿美元,获得来自公私两方的广泛支持。据悉此举有助于推动从硅转向碳化硅的科技转变,进而保障对能源转型至关重要的材料供应。“约翰·帕尔默碳化硅制造中心”占地445英亩,第一阶段工程预计将于2024年底完工。
当前,沃尔弗斯普莱特凭借北卡罗来纳州达勒姆总部,占据全球SiC材料市场60%以上份额,正在推进投资65亿美元来进一步扩大产能规划。
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