如何在微型封装中存储大约90页报纸的字符数据呢？

 

ReRAM（Resistive Random Access Memory，电阻式随机存取存储器）作为一种先进的非易失性存储技术，具有高密度、低功耗和快速读写等优点，近年来在多个市场领域展现出巨大的应用潜力和商业化价值。

ReRAM具有放置在电极之间的金属氧化物的简单结构，并且其制造工艺非常简单。它通过施加脉冲电压对金属氧化物薄膜产生的电阻的巨大变化来记录“ 1或0”数据。

在所有存储器产品中ReRAM的读取电流都最小，因此特别适合于助听器等可穿戴设备。加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体提供的12Mbit ReRAM MB85AS12MT是富士通ReRAM产品系列中密度最大的产品。

MB85AS12MT是一款非易失性存储器，存储器密度为12Mbit，可在1.6V至3.6V的宽电源电压范围内工作。这款ReRAM产品的存储器密度是现有8Mbit ReRAM的1.5倍，同时保持相同的封装尺寸WL-CSP（晶圆级芯片尺寸封装），并具有相同的引脚分配。MB85AS12MT可以在约2mm x 3mm的小包装中存储约90页报纸的字符数据。

与8引脚SOP相比，用于MB85AS12MT的WL-CSP可以节省约80%的安装表面积，而8引脚SOP通常用于具有串行外设接口（SPI）的存储设备。

安装面积比较

与其他非易失性存储器相比，MB85AS12MT产品具有极小的读取电流水平。在5MHz的工作频率下，平均读取电流低至0.15mA，在10MHz工作时，最大读取电流甚至为1.0mA。

因此，通过将MB85AS12MT安装在具有频繁数据读取操作（例如特定程序读取或设置数据读取）的电池供电设备中，可以最大限度地减少电池消耗。所以，它非常适合用于电池供电的小型可穿戴设备，例如助听器和智能手表。

利用上述特性，ReRAM产品可以解决在可穿戴设备开发中使用闪存或EEPROM产生的以下问题。

客户的问题和解决方案

案例1

问题：8Mbit ReRAM 内存密度不足

解决方案：使用12Mbit ReRAM，引脚分配与8Mbit产品相同。

优势：提高最终产品的性能

案例2

问题：由于安装面积的限制，需要保持较小的包装尺寸

解决方案：在非常小的封装中使用12Mbit ReRAM。

优点：在提高性能的同时保持小尺寸

案例3

问题：传统的非易失性存储器难以降低功耗

解决方案：使用读取电流非常小的ReRAM。

优点：延长最终产品的电池寿命（减少电池更换次数）

富士通半导体存储器解决方案在继续为需要频繁重写数据的客户设备开发更高密度的FeRAM产品的同时，一直在开发新的非易失性存储器，以满足频繁读取数据的需求，因此推出了12Mbit ReRAM产品。

ReRAM凭借其独特优势已在物联网、嵌入式系统、人工智能、数据中心、消费电子、工业控制和汽车电子等多个市场领域展现出广泛应用前景，随着技术成熟与成本下降，预计其市场渗透率将进一步提升，成为推动相关行业技术进步与创新的重要力量。富士通半导体也将持续开发各种低功耗存储器产品，以满足客户的需求。

审核编辑：刘清