SK海力士、三星电子年内启动1c纳米DRAM内存量产

　　据韩国媒体Business Korea 报道，业内领头羊SK海力士与三星电子计划年内分别实现1c纳米DRAM内存的商业化生产。

　　步入20至10纳米（nm）工艺阶段后，业界通常用数字+后缀的方式来标记内存代际。因此，1c nm便相当于美光的1-gamma nm概念，代表着该领域内的第六个10+ nm工艺代际。同时，三星对之前的1b nm的命名为“12nm级别”。

　　三星近期在Memcon 2024行业会议中声称，计划于今年底以前实现1c nm工艺的量产。另据行业消息人士透露，SK海力士已确定在第三季度实现1c纳米DRAM内存的商业化生产。

　　SK海力士计谋抢先一步，争取在1c nm内存获得行业认可之后，快速满足微软、亚马逊等大客户的需求。

　　展望未来，三星电子和SK海力士在下一代内存市场中将增加EUV光刻的应用，以此缩减线宽、提高速度和降低功耗。

　　值得注意的是，美国企业美光已在1-gamma纳米节点尝试使用EUV技术并有望于2025年实现量产。另外，台湾公司南亚正在积极研发首款DDR5内存产品，并计划于今年推向市场。