华太推出首款高功率高耐压射频功放器件—HTH8G02P1K4H(B)

 

在当今社会，射频（RF）技术的进步和应用已经深入到我们日常生活的方方面面，尤其是在工业、科学和医疗（ISM）领域中，射频器件的应用促进了这些领域技术的飞速发展。从加速日常物品的生产过程到提升医疗诊疗的效率和安全性，再到推动科学研究的边界，射频技术在背后发挥着至关重要的作用。

ISM系统解决方案涵盖了数千种不同的应用，这些应用的操作频率范围广泛，通常从直流（DC）延伸至600MHz，覆盖了从高频（HF）到甚高频（VHF）乃至超高频（UHF）的频段。在这些多样的ISM应用中，由于时间、材料变化和不同的处理过程，负载往往呈现出高度的可变性。这种可变性要求RF功率放大器（RFPA）必须具备极端条件下的高度鲁棒性，以应对各种挑战性的工作环境。

在射频功率LDMOS技术中，更高的供电电压使得解决方案制造者能够通过较少的元件组合达到更高的功率水平，从而提高整个系统的效率、降低成本和减小尺寸。随着工作电压提高输出功率更大，晶体管的阻抗变得更小，这对于器件的设计能力提出了更高的要求。华太目前掌握了从半导体工艺、器件、芯片、封装结构再到放大器模组的整体方案设计能力，为终端客户提供快速、高性能、高可靠的解决方案。

HTH8G02P1K4H(B)是华太推出的首款高功率高耐压射频功放器件，专为高失配电压驻波比(VSWR)条件下的使用而设计，通常用于工业、科学和医学(ISM)应用。器件输入/输出均是unmatch设计支持1.8到200MHz的频率使用。该器件提供了>78%的典型效率和>27dB的高增益，具体增益根据工作频带的宽窄有一定的差异。与其30W驱动放大器HTH7G14S030HB结合使用时，整体解决方案提供了优异的性能，且成本颇具竞争力。

50V和65VLDMOS产品系列

高击穿电压

增强鲁棒性设计

适用于单端或Push-Pull架构等多种形式

高功率 高效率 高可靠性

内部集成的增强 ESD 设计 

优异的热稳定性  

符合 RoHS 规范

 

 

 

 

 

审核编辑：刘清