华虹宏力半导体获半导体器件专利

　　据天眼查资料，上海华虹宏力半导体近日获批一项名为“半导体器件”的专利，其编号为CN113192948B，发布日期为2024年4月5日，申请时间为2021年4月27日。

　　该发明涉及一种半导体器件，包含底座，又划分为第一和第二园区，一个位于另两个邻侧之间；两个子漏区，坐落于底座的第一园区；虚拟结构，位于两子漏区间的底座上；源区，位于底座的第二园区；栅极结构，位于第一和第二园区之间的底座上。此发明通过虚拟结构提升器件的ESD性能，无需现有技术的SAB光罩或引入新工艺流程，可直接在制造过程中同步构建虚拟结构，从而降低器件的生产成本。