罗姆推出R5050DNZ0C9低导通电阻的功率MOS

　　日本知名半导体制造商罗姆株式会社面向太阳能发电的功率调节器市场，开发出实现了业内顶级低导通电阻的高耐压功率MOSFET “R5050DNZ0C9” （500V/50A/typ，34mΩmax45mΩ）。

　　本产品采用散热性卓越的TO247PLUS封装，于2011年9月中旬开始提供样品（样品价格：1000日元/个），并已于2011年12月份开始投入量产。

　　随着节能趋势渐行渐强，作为可再生能源的代表，太阳能发电市场规模不断扩大。其功率调节器领域，正在努力通过电源转换效率的改善实现节电，因此对实现更低损耗的功率MOSFET的需求不断高涨。罗姆此前也一直利用多层外延生长方式，为客户提供多层纵向pn结的超结结构的功率MOSFET，持续为高效化作出了贡献。但是，由于这种方式的制造工序复杂，因此具有难于微细化和提高生产性能的课题。

　　此次，罗姆采用纵向p层一次成型的Si深蚀刻技术，通过微细化及杂质浓度的优化，与传统产品相比，将导通电阻成功降低了约47％。此产品不仅非常适合低导通电阻容易体现出来的转换器部分，而且与罗姆制造的快速恢复二极管或SiC肖特基势垒二极管等相组合，还可应用于逆变器。由于可以大幅降低电源转换时的损耗，因此将会大大有助于提高太阳能发电的效率。另外，为了适用于更多种类的电路方式，罗姆在采用本技术进一步完善高耐压产品线的同时，还将不断扩充“PrestoMOS”系列。

　　罗姆今后也会继续利用独创的先进工艺加工技术，不断推进满足顾客需求的前瞻性晶体管产品的开发。

　　＜高耐压功率MOSFET“R5050DNZ0C9”的主要特点＞

　　（１）业内顶级的低导通电阻

　　（２）具有卓越散热性能的TO247PLUS封装

　　＜利用了Si深蚀刻技术的超结结构＞

　　采用纵向p层一次成型的Si深蚀刻技术。

　　不仅可简化工序，而且适合微细化。

　　＜导通电阻降低47％＞