日本将LED发光效率再提高1倍

　　日本碍子2012年4月25日发布消息称，开发出了可将LED光源的发光效率提高1倍的GaN（氮化镓）晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透明特性。

　　日本碍子在其他研究机构的协助下，在开发出来的GaN晶圆上制造了LED元件，并进行了发光性能试验，结果表明，该LED元件的内部量子效率达到约90％（注入电流200mA时）。据日本碍子介绍，市售LED元件的内部量子效率为30～40％（注入电流200mA时），照此计算，利用新开发的晶圆制造的LED元件，其内部量子效率提高了1倍以上，这样便可使发光效率达到市售LED光源的2倍（200lm/W），将耗电量降低50％并抑制发热，从而实现照明器具的长寿命化及小型化。

　　日本碍子2012年度设立了“晶圆项目”，以促使晶圆相关产品实现商品化。今后还预定于2012年内开始样品供货世界首款以液相生长法制造的直径4英寸的GaN晶圆。该公司将瞄准以混合动力车及电动汽车的功率器件以及无线通信基站的功率放大器为对象的晶圆市场，为进一步降低缺陷密度并加大口径（直径6英寸）继续推进开发。

　　发光试验中的LED元件。基板尺寸：1cm见方，元件尺寸：0.3mm见方，注入电流：约200mA，中心波长：450nm

　　

GaN晶圆。左为2英寸产品，右为4英寸产品