CB晶体管的特性曲线解析

在本文中，我们将讨论CB晶体管的特性曲线，如 CB晶体管的静态输入和静态输出特性曲线（共基）。

共基极配置下晶体管的特性曲线

图1显示了以共基（CB）配置连接的PNP晶体管。基极是输入侧和输出侧共用的端子，该端子已接地。然后我们剩下两个电压变量，即 VEB公司和 V CB公司 .进一步，当前的 IB被忽略，因为它只不过是 -（I E + 我 C ).然后我们剩下两个当前变量，即 V EB公司 、VCB公司我E和我C可以选择任意两个作为自变量，另外两个作为因变量。在任何晶体管中，我们选择输入电流和输出电压作为自变量，选择输出电流和输入电压作为因变量。然后，我C和 VEB公司可以用 V 表示CB公司和我E根据以下等式：

...........(1)

..........(2)

因此，对于CB晶体管，我们可以得到以下两个静态特性曲线系列，绘制方程（1）和（2）。

• 静态输出特性曲线绘制公式（1）。因此，我们绘制 IC针对 VCB公司与我E作为参数，即不同 I 值的绘图曲线 E .
• 静态输入特性曲线绘制方程（2）。因此，我们绘制 VEB公司反对我E带 VCB公司作为参数，即绘制一组 V 值的 f 曲线 CB公司 .

电路设置 |CB晶体管的输入输出特性曲线

图2给出了用于确定PNP晶体管静态特性曲线的基本电路设置。当前 IE可由电位计 R 改变 1 .但是，V是低电压通常小于 1 伏。因此，我们包括一个串联电阻器R S （约 1 k-ohm）在发射极电路中保持 IE低。

电压 VCB公司可由电位计 R 改变 2 .如图 2 所示连接毫米表和电压表，读取 I=E , 我 C 、VEB公司和 V CB公司 .

PNP CB晶体管的静态输出特性 |CB晶体管的输入输出特性曲线

图3显示了CB配置中典型PNP Ge生长结型晶体管的静态输出特性曲线。实验程序包括设置电路，如图2所示，固定IE最初为零，增加 V 的大小CB公司以 1 伏的步长从零开始，注意相应的 IC和绘图我C针对 V CB公司 .对于较高的 I 值，重复该过程E比如 10 mA、20 mA 等。因此，我们得到图 3 所示的曲线。事实上，这些曲线只不过是方程（2）的图。

活动区域 |CB晶体管的输入输出特性曲线：

用于活动区域操作。JE是前向偏置的，而 JC是反向偏置的。考虑使用 I 的操作 E = 0。然后，晶体管表现为反向偏置二极管，由Ge晶体管中的微安级和Si晶体管中的纳安级组成。我一氧化碳集电极电压 V 的所有值都保持不变CB公司低于击穿潜力。在pnp晶体管中，I一氧化碳从基底流向集电极，因此被认为是负的，因为假设 I 的正方向一氧化碳被认为与I相同C即进入设备。在npn晶体管中，I一氧化碳从收集器流向基座，因此被认为是正的。

接下来让一个小发射极电流I E （比如 10 mA）发射极电路中的流量。然后是分数 IE的电流到达集电极并贡献 IE到总集电极电流 IC如等式所示。在有源区域中，两个组件 I一氧化碳和 ， 集电极电流 IC几乎等于 .

I 的输出特性 E = 20 mA、30 mA 等与 I 的特性相似 E = 0，但向上移动了 。但是，由于早期效应，输出特性具有较小的上升斜率。输出特性的这种轻微向上斜率导致输出电导有限，而不是零输出电导，即输出电阻非常大，而不是有限输出电阻。

饱和区域 |CB晶体管的输入输出特性曲线

在饱和区域，JE和 JC是前向偏向的。因此，在 pnp 晶体管中，饱和区域位于纵坐标 V 的左侧 CB公司 = 0 及以上 I 的特征 E = 0。在该区域中，电压已下降到特征的底部附近，具有 V CB公司 = 0，因此据说会触底。在 PNP 晶体管中，VCB公司实际上略微在这个区域，即 JC是前向偏向的。因此，集电极电流 IC随着 V 呈指数增长CB公司根据基本的二极管关系。使用 JC正向偏置的空穴电流从p型集电极区域流过JC到 N 型基区。因此，净空穴电流幅度迅速下降，如图 4 所示。如果正向偏置为 JC进一步增加，我C甚至可能变成阳性。

截止地区 |CB晶体管的输入输出特性曲线

输出特性几乎是并行的。但只有我的特征 E = 0 通过原点。I 的输出特性 E = 0 与电压轴不重合。而是我C等于 I 一氧化碳 ，少数用于Ge（Si）晶体管。由于我一氧化碳非常小，特性似乎与电压轴重合。特征 I 的下方和右侧区域 E = 0 称为截止区域，在该区域中 JE和 JC是反向偏置的。

CB晶体管的静态输入特性 |CB晶体管的输入输出特性曲线

图4给出了典型CB pnp Ge晶体管的静态输入特性。实验程序包括设置电路，如图2所示，固定V CB公司 = 0，增加 I 的大小E从 5mA 的步长开始，没有相应的 VEB公司和电镀 VEB公司反对我 E .对于 V 的其他值重复该过程CB公司比如说 -10 伏、-20 伏等，并且集电极结也打开。因此，我们得到图 4 所示的曲线。事实上，这些曲线只不过是等式 2 的图。

这些输入特性只是 J 的前向特性E对于各种 V 值 CB公司 .因此，使用 VCB公司开路，输入特性只不过是 J 的前向特性E充当PN二极管。带 V CB公司 = 0，即当集电极短路到基极时，集电极从基极扫除少数载波孔，因此，从发射极吸引更多孔。因此，V 的特征 CB公司 = 0 相对于 V 向下移动CB公司打开。切入电压 VV对于 V 的 Ge （Si） 晶体管，约为 0.1 伏（0.5 伏） CB公司 = 0。

对于给定的 V 值 EB公司 ，任何增加 |V CB公司 |，根据早期效应，导致有效碱基宽度减小，碱区少数载流子浓度梯度增加，从而增加 I E .因此，随着 |V CB公司 |，输入特性曲线向下移动，如图4所示。

可以看出，V略有增加EB公司导致 I 大幅增加 E .因此，CB晶体管的动态输入电阻相当低。pnp 和 npn 晶体管都是如此。