弘宇二代大容量NOR Flash进入流片，助推智能化设

　　近日，国内新型存储器制造商中天弘宇在首款小容量NOR Flash产品量产后，又推出了容量更大的第二代产品，已进入流片环节，预期5月中旬进行首次MPW流片。

　　据供应链透露，中天弘宇的新产品将采用28nm制程，单个颗粒的设计存储容量将达至2GB以上，相较之下，業界现行最高水平只有512MB。这标志着该公司是否能够运用“二次电子倍增注入浮栅”原理突破NOR Flash工艺限制，将在这一代产品中得到验证。

　　中天弘宇的专家表示，这项技术创新主要通过在传统存储单元上增加纵向电压，产生二次电子，这些电子在沟道中以倍增的速度快速穿行，并在浮栅上高效聚集，从而实现NOR Flash的小面积、低成本、大容量、低功耗特性。此外，该技术还兼容标准逻辑制程。

　　据悉，中天弘宇的第二代产品已经获得上海及国家级科研重点项目的立项支持，它的问世有望使我国在NOR Flash领域占据领先地位，同时为各类智能化设备、自动化装备提供全新的存储器解决方案。

　　据中天弘宇之前的公开声明，他们的大容量产品将在无人机机器人等高端电子设备以及各类边缘计算智能设备市场等新兴市场提供低成本、高可靠性的单芯片产品。