英特尔突破技术壁垒：首台商用High NA EUV光刻机成功组装

　　在俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔研发基地，一项历史性的技术成就正逐渐浮出水面——业界首台商用High NA（高数值孔径）极紫外（EUV）光刻机已成功组装。这一重要里程碑的达成，标志着英特尔在半导体制造领域的尖端技术取得了显著进展。

　　目前，英特尔的研发团队正致力于对这台先进的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻机进行细致的校准工作，以确保其能够顺利融入未来的生产线。这款光刻机通过优化硅晶圆上的光学投影设计，极大地提升了下一代处理器的分辨率和功能，为英特尔的工艺技术注入了新的活力。

　　谈及这一技术突破，英特尔院士兼相关技术研发部门总监Mark Phillips难掩兴奋之情。他表示，High NA EUV光刻机的引入，使得英特尔拥有了业界领先的光刻技术，这将极大地推动公司在未来实现超越Intel 18A的工艺能力。

　　据了解，ASML的EXE:5000 High NA EUV光刻机具备令人瞩目的8nm分辨率，相比传统的EUV光刻机，其物理特征微缩了1.7倍，单次曝光的晶体管密度更是提升了2.9倍。这一重大进步意味着芯片制造商能够简化制造流程，同时显著提高生产效率。值得一提的是，EXE:5000光刻机每小时可完成超过185个晶圆的光刻工作，相比现有的NXE系统，其产能得到了显著提升。

　　ASML还计划推出第二代High NA EUV光刻机，预计将在2025年实现每小时220片晶圆的产能。尽管High NA EUV光刻机的售价高达3.5亿欧元，但其带来的生产效益和技术优势使得这一投资变得极具价值。

　　SML最近在荷兰总部的High NA实验室成功打印出了首条10纳米密集线，这一成就刷新了EUV光刻机最高分辨率的世界纪录。这一里程碑式的成果验证了ASML合作伙伴蔡司的创新高数值孔径EUV光学设计的卓越性能。

　　英特尔在High NA EUV光刻机方面的这一重大突破，不仅将极大地提升其自身的工艺能力，更将对整个半导体行业产生深远影响。