单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域。
单晶硅片在出货前要检测一些项目,请问具体会检测哪些指标?
我们以4寸的单晶硅片为例:
如上图:
1,晶向:<100>表示硅晶圆的晶体学方向。这种方向对晶圆上器件的电子特性和制造工艺有重要影响。 2,类型:P (Boron) with one primary flat 表示晶圆是P型硅,即通过掺杂硼来产生多余的空穴。"one primary flat" 表示晶圆边缘的形状,有助于识别晶体晶格的方向。 电阻:1-10 Ohm/cm 是晶圆的电阻率。 等级:Prime / CZ Virgin 表示硅晶圆的质量和纯度。"Prime" 是最高等级,用于高精密应用;"CZ" 指的是用直拉法把单晶硅片制造出来的。 涂层:None, native oxide only 意味着晶圆表面没有附加的膜层,只有自然形成的二氧化硅层。 厚度:525µm (+/- 20µm) 是晶圆的厚度,误差控制在正负20微米以内。厚度的均匀性对后续的加工步骤至关重要。 直径:100mm 指定了晶圆的直径。 Warp:<=30µm ,Warp越低表示晶圆质量越好。 Bowing:<=30µm ,类似于翘曲,它也是衡量晶圆平整度的一种指标。 主定位边:32.5 +/- 2.5mm 表示了晶圆主定位边的长度,用于定位晶圆的方向。有的晶圆还有副定位边,如下图:
表面粗糙度:0.2 - 0.3nm, polished one side 表示该硅片为单抛硅片,表面的粗糙度单位是纳米。
审核编辑:黄飞
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