用于三相功率转换的桥式拓扑的SiC MOSFET

效率、生产力和立法是当今电力应用的主要市场驱动力。利用更少的能源生产更多的产品，节约能源成本，更加关注更好的转换效率和更小、更轻的系统。
在这方面，功率半导体在整个电能供应链中提供了新的潜力，无论是作为发电、输电或电力转换器中电力消耗的能源组合的一部分，可再生能源的份额不断增长。尽管最新一代的Si-MOSFET和IGBT在许多情况下仍然是很好的解决方案，但宽频段间隙材料SiC和GaN中的晶体管功能为实现新的目标要求提供了新的设计灵活性。因此，使用SiC MOSFET来提高功率转换性能或实施系统创新是当今许多系统设计人员的流行方案。

在本文中，英飞凌向读者介绍了桥式拓扑中的SiC MOSFET设计指南，例如用于电池充电和伺服驱动应用

评估板包括一个EasyPACK ™ 1B（带CoolSiC ™ MOSFET（FS45MR12W1M1_B11））、一个三相交流连接器、EMI滤波器、整流器和一个用于连接电机的三相输出。基于模块化应用设计套件（MADK），该板配备英飞凌标准M5 32针接口，可连接到XMC DriveCard 4400或1300等控制单元。其输入电压范围为340至480 V AC。

MADK系列的新成员针对通用驱动器以及频率非常高的伺服驱动器进行了优化。该器件采用EasyPACK 1B Sixpack配置，采用1200 V CoolSiC MOSFET，典型导通电阻为45 mΩ。功率级包含电流和电压检测电路;它配备了无传感器磁场定向控制（FOC）的所有组件元件。EVAL-M5-E1 B1245 N-SiC具有低电感设计、集成NTC温度传感器和无铅端子电镀，符合RoHS标准。

*附件：Infineon-SiC_MOSFETs_for_Bridge_Topologies_Power_Electronics_Europe-Article-v01_00-EN.pdf

审核编辑 黄宇