ICP-RIE全称是电感耦合等离子体刻蚀机,是半导体芯片微纳加工过程中必不可少的设备,可加工微米级纳米级的微型图案。
ICP-RIE机台的原理是什么样的?
上图是一个典型的ICP-RIE设备的原理图,其中:
ICP Generator(感应耦合等离子体发生器):产生射频能量以激发气体并产生等离子体。
CCP Generator(电容耦合等离子体发生器):为下部电极提供射频能量,以产生电场并加速等离子体中的离子向晶圆表面运动。
Gas Inlet(气体进口):引入所需的刻蚀气体到反应室。
Analysis Port(分析口):用于连接在线检测工具,如质谱仪或光谱仪,用于分析反应室内的气体成分。
Glow Discharge(辉光放电区):这是等离子体形成和持续作用的区域,等离子体在此区域中发光。
Wafer Clamping(晶圆夹持):用于固定晶圆,确保其在刻蚀过程中位置稳定。
Pumping(泵):保持反应室的真空状态,排除刻蚀过程中的副产品和未反应气体。
Cryo Stage:控制晶圆在刻蚀过程中的温度,防止因温度过高而损伤晶圆或影响刻蚀结果。
Helium Backing(氦气背冷):利用氦气作为冷却介质,带走热量。
Dark Space(暗区或鞘区):一个没有辉光放电的区域,这有助于改善刻蚀的均匀性。
审核编辑:黄飞
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