耦合技术的分类及介绍

3.1 光耦合技术

    光耦合技术是在透明绝缘隔离层(例如：空气间隙)上的光传输，以达到隔离目的。图5显示了一款数字隔离器的主要组件。该电流驱动器采用数字输入，并将信号转换为电流来驱动发光二极管(LED)。输出缓冲器将光电探测器的电流输出转换为一个数字输出。

图5：基本光耦合机制。

    光耦合技术的主要优点是，光具有对外部电子或磁场内在的抗扰性，而且，光耦合技术允许使用恒定信息传输。光耦合器的不足之处主要体现在速度限制、功耗以及LED老化上。

    一个光耦合器的最大信号速率取决于LED能够开启和关闭的速度。从当前可供使用的产品来看，最快的光耦合器是HCPL-0723，其可以达到50Mbps的信号速率。

    从输入到输出的电流传输比(CTR)是光耦合器的一个重要特性，LED一般会要求 10mA的输入电流，以用于高速数字传输。这种比率对用于驱动LED的电流和由光电晶体管产生的电流进行调节。随着时间的推移，LED变得更为低效，同时要求更多的电流来产生相同等级的亮度以及相同等级的光电晶体管输出电流。在许多数字隔离器中，内部电路控制LED驱动电流，并且用户无法对逐渐下降的 CTR进行补偿。LED的优势减弱了，并且随着时间的推移隔离器不再像以前那样有效了。

    3.2 电感耦合技术

    电感耦合技术使用两个线圈之间的变化磁场在一个隔离层上进行通信。最常见的例子就是变压器，其磁场大小取决于主级和次级绕组的线圈结构(匝数/单位长度)、磁芯的介电常数，以及电流振幅。图6显示了一款具有信号调节电路模块的变压器。

图6：电感隔离。

    电感耦合技术的优点是，可能存在的共模差异和差分传输特性。变压器的精心设计允许噪声和信号频率重叠，但是会呈现出噪声高共模阻抗和信号低差分阻抗。另一个优点是，信号能量传输可以为近100%的效率，从而使低功耗隔离器成为可能。

    电感耦合技术的主要缺点是对外部磁场(噪声)的磁化。工业应用通常要求磁场隔离，例如：马达控制。数字变压器传输中另一个缺点是数据运行长度。一个信号转换器在某一频率和振幅范围内传输信号，并且其失真可以接受。需要数据运行长度限制或时钟编码来将该信号保持在可用变压器带宽内。采用电感耦合技术的通用数字隔离器要求信号处理随同传输低频率信号(1或0长字符)的方法共同对数字信号进行传输和重新构建。NVE公司/Avago(安华高)公司推出的Isoloop，以及ADI(美国模拟器件公司)推出的iCoupler均使用了编码功能，并提供了支持从DC到100Mbps运行范围的数字隔离解决方案。

    ADuM1100是ADI推出的iCoupler技术的一个例子。 ADuM1100使用一个基本的变压器来实现在一个隔离层上传输信息。这种Isoloop技术(例如：HCPL-0900)使用一个如图7所示的电阻器网络来替换次级线圈。该电阻器由GMR(巨磁电阻)材料组成，这样当磁场发挥作用时该电阻会发生变化。电路感应电阻的变化，并满足其条件，以用于输出。这种技术被首次引入市场时就切实地提高了AC性能，超过了现有光耦合器的性能。现在，随着ADI最近推出了更多的数字隔离器以及TI ISO72x系列器件的推出，这些Isoloop器件的性能已经被超越。

图7：GMR结构图。

    3.3 电容耦合技术

    电容耦合技术是在隔离层上采用一个不断变化的电场传输信息。各电容器极板之间的材料是一个电介质隔离器，并形成隔离层。该极板尺寸、极板之间的间隔和电介质材料等都决定着电气性能。

图8：电容耦合。

    使用一个电容隔离层的好处是，在尺寸大小和能量传输方面的高效率，以及对磁场的抗扰度。前者使低功耗和低成本集成隔离电路成为可能；而后者使在饱和或高密度磁场环境下运行成为可能。

    电容耦合技术的缺点是其没有差分信号和噪声，并且信号共用相同的传输通道，这一点与变压器不同。这就要求信号频率要大大高于噪声预期频率，这样隔离层电容就呈现出信号的低阻抗，以及噪声的高阻抗。使用了电感耦合以后，电容耦合就不能传输稳定状态信号，并需要时钟编码数据。

    3.3.1 TI推出的ISO721

    TI推出的ISO72x系列隔离器采用电容耦合技术。电容耦合解决方案采用业经验证的、低成本生产制造工艺，并对磁场具有内在的抗扰度。

    为了提供恒定信息的传输，ISO72x使用一个高信号速率和低信号速率通道来进行通信，如图9所示。高信号速率通道未被编码，并且其在一个单端到差分转换之后的隔离层上传输数据。该低信号速率通道以一种脉宽调制格式对数据进行编码，并在隔离层上差分传输数据，从而确保了恒定状态的精确通信(1和0的长字符)。

    单端逻辑信号在隔离层上的差分传输允许使用低电平信号和小耦合电容。这就呈现出对共模噪声的高阻抗，并且，通过接收机的共模噪声抑制，带来了优异的瞬态抗扰度，也即信号电容耦合需要解决的主要问题。

图9：ISO72x与ISO72xM的结构图。