现代DRAM内存发明人罗伯特·登纳德离世

描述

  据美国媒体报道,现代 DRAM 内存发明人罗伯特·登纳德已于 2024 年 4 月 23 日去世,享年 91 岁。

  登纳德生于 1932 年 9 月 5 日,成长于美国得克萨斯州特雷尔。他于 1958 年获卡内基理工学院电气工程博士学位,随后加入 IBM 任研究员。

  在 1960 年代,计算机对内存的需求不断增长,而当时主流的磁芯内存因密度、成本、性能等因素面临瓶颈。

  登纳德当时在 IBM 研发金属氧化物半导体(MOS)内存,然而该方案存在速度缓慢、芯片面积过大等问题。

  一次偶然的机会,登纳德灵光一闪,想到利用单个晶体管中的电容正负极来记录数据,并通过反复充电实现数据动态刷新。这一创新理念奠定了 DRAM 内存的基础。

  IBM 和登纳德于 1968 年取得 DRAM 专利,这项技术于 1970 年投产后,凭借低成本、低功耗、结构简单等优点迅速取代磁芯内存,推动了信息通信技术的飞速发展。

  DRAM 内存与首批低成本微处理器共同推动了计算机小型化进程,使得如 Apple II 这样的早期个人电脑在商业上取得巨大成功,也为如今的移动设备市场开辟了道路。

  此外,登纳德还提出了著名的登纳德缩放定律,即随着制程工艺的提高,半导体芯片的功耗密度保持不变。这一定律在半导体行业影响深远,被誉为半导体行业的三大定律之一。

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