AI浪潮拉动DRAM与NAND闪存合约价飙升

　　5月7日消息，TrendForce集邦咨询公司在最新的研究报告中指出，人工智能（AI）技术的兴起深刻地改变了DRAM内存和NAND闪存市场格局，因此该公司决定上调这两种储存产品本季度的合同价格涨幅。

　　首先来看DRAM内存，TrendForce原本预测2024年第二季度的合约价会上涨3~8%，现在已调整为13~18%。至于NAND闪存，原预测涨幅为13~18%，现已调整至15~20%，其中eMMC/UFS的涨幅相对较小，为10%。

　　TrendForce解释说，他们原本认为在经历了两个或三个季度的价格上涨之后，DRAM内存和NAND闪存的买家可能不太愿意继续承受高昂的价格压力。然而，随着四月份台湾地区地震后的首次合约价格谈判结束，价格涨幅超出预期，主要原因在于AI热潮对供需双方产生了心理影响。

　　在DRAM市场，存储厂商担心HBM内存产能的增加将会挤压传统内存的供应空间。据IT之家此前报道，美光表示HBM3E内存的晶圆用量比传统DDR5内存多出3倍；此外，TrendForce还指出，到2024年底，三星电子1αnm制程的DRAM产能中有大约60%将被HBM3e内存占据。鉴于此，买家开始考虑在第二季度提前储备DRAM内存，以应对从第三季度开始的HBM内存供应紧张局面。

　　在NAND闪存领域，由于AI推理服务器更注重节能性，北美云服务提供商正加大QLC企业级固态硬盘的使用力度。闪存产品库存迅速减少，导致部分供应商出现惜售情绪。然而，报告同时指出，由于消费级产品需求恢复情况尚未明朗，存储厂商对于非HBM内存产能的投资仍然较为谨慎，特别是那些仍未实现盈利的DRAM闪存项目。