英特尔完成首台高数值孔径EUV光刻机安装，助力代工业务发展

　　英特尔近日宣布，斥资约3.5亿美元的第一台商用量子点EUV光刻机已安装调试完毕，有望年内正式投入使用。

　　据报道，ASML明年上半年绝大部分高数值孔径EUV设备订单都被英特尔拿下，其中包括今年计划生产的五套设备也全数交付。

　　知情人士透露，由于ASML高数值孔径EUV设备产能有限，每年仅能产出5至6台，因此英特尔将独享初始库存，而竞争对手三星和SK海力士预计需等到明年下半年才能获得此设备。

　　关于高数值孔径，简言之，它代表光学系统的聚光能力，数值越大，聚光能力越强。相较于现有EUV设备的0.33数值孔径，新一代EUV设备的NA值升至0.55，一维密度提高1.7倍，二维尺度上则可实现190%的密度提升。

　　英特尔代工旗下逻辑技术开发部门的光刻、硬件和解决方案主管菲利普斯表示，公司计划今年晚些时候将High NA EUV光刻机用于制程开发。

　　英特尔将在18A尺度的概念验证节点上测试High NA EUV与传统0.33NA EUV光刻的混合使用效果，并在后续的14A节点上实现商业化量产。

　　菲利普斯预测，High NA EUV光刻机至少可在未来三代节点上沿用，使光刻技术名义尺度突破至1nm以下。

　　展望未来光刻技术发展，菲利普斯认为将光线波长进一步缩短至6.7nm将面临诸多挑战，如光学组件尺寸大幅增大；他更看好更高数值孔径（Hyper NA）作为可行技术方向。

　　针对High NA EUV光刻导致的单芯片理论最大面积减小问题，菲利普斯表示英特尔正在与EDA企业共同研发芯片“缝合”技术，以便设计师更好地利用。

　　尽管英特尔于2021年重返芯片代工市场，但要想赢得客户信任，必须加快采用高数值孔径EUV技术。然而，英特尔代工业务去年亏损高达70亿美元，看来仍需努力。