根据TrendForce集邦咨询的数据报告显示,中国在SiC功率半导体产业中占据领先地位,特别是在功率元件业务中达到了42.4%的高占比。这一领域涵盖了Fabless、IDM以及Foundry等多个子行业。
此外,中国在SiC衬底和外延材料制造方面也日益受到国际市场的认可,逐渐在全球供应链中占据重要地位。尽管如此,国内厂商在晶体厚度和一致性方面仍需加强技术积累,以便在汽车电驱系统等高端应用场景中更广泛应用。
根据TrendForce集邦咨询的数据,2023年,中国N-Type SiC衬底的产能达到1020Kpcs,天科合达在这一市场上继续保持领先。随着新能源汽车、光伏、储能和充电桩等行业的迅猛发展,SiC功率元件市场需求急速扩大。
光伏储能是中国SiC市场的最大应用场景,占比达38.9%。然而,未来汽车市场的快速发展预计将在2026年将光伏储能超越,市场份额可能高达60.1%。
目前,中国大约有70家企业进入SiC功率元件行业,市场竞争愈发激烈。在此背景下,部分厂商退出了竞争较低的二极管市场,转而专注于具有核心竞争力的MOSFET业务。
至于SiC晶圆制造,中国目前有约24家厂商参与其中,其中包括15家IDM厂商和9家Foundry厂商。在晶圆产能方面,叁安光电和积塔半导体分别在IDM和Foundry厂商中排名首位。
尽管中国在SiC晶圆厂产能扩展方面仍在努力,但目前MOSFET的有效产能还不到全球的10%。但是,从2023年第四季度开始,这一状况开始逐步改善。
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