无线供电技术大放异彩

　　电子发烧友网讯：刚过去的一周，电子行业大事精彩上演。与此同时，过去一周厂商动作频频，争相推出各种技术新品助力工程师设计。过去的一周我们到底该掌握哪些资讯要闻和厂商动态、新品趋势。电子发烧友网将为您对过去的一周新闻焦点进行梳理，总结行业发展趋势，推出最新一期《电子发烧友网视界：行业每周(6.18-6.24)焦点汇总》，业界焦点、厂商动态、新品推荐，一网打尽，以飨读者。

　　1.1 日本汽车无线供电技术 隔着10cm厚混凝土也可供电

　　日本丰桥技术科学大学在7月5日至6日于太平洋横滨国际会展中心举行的无线技术展会“Wireless Technology Park(WTP)2012”上，利用实物大小的汽车轮胎和道路演示了电场耦合式无线供电技术。

　　
利用实物大小的车轮和道路用混凝土进行实际演示。

　　该大学电气电子信息工程学系教授大平孝的研究小组正在研究将电场耦合(或电感耦合)式无线供电技术用于为行驶中的汽车供电。

　 　此次的发表与该研究小组以前的发表有两点不同：(1)向实物大小的车轮输送50～60W的大电力;(2)在送电侧的金属板与车轮之间隔着厚度约 10cm的混凝土。电力传输效率在模拟道路的普通混凝土下方的金属板到安装在车轮一侧的灯泡之间“高达80～90%或以上水平”(大平)。

　　尤其是(2)这一点，大平表示，“预计混凝土厚度超过(实际道路通常使用的)20cm时也可供电”，这是因为混凝土的介电常数较高。虽然实际使用时送电电力还要比此次演示增加两位数，但“相关部件比较便宜，没有大的影响”。

 

　　1. 行业动态扫描

　　1.1 能源危机倒逼 日本核电站正式开始供电

　　7月5日，在日本大饭核电站3号反应堆开始供电后，工作人员在中央监控室内进行监控。日本关西电力公司大饭核电站3号反应堆5日开始供电，结束日本将近两个月的“零核电”状态。在大饭核电站3号反应堆开始供电后，工作人员在日本大阪关西电力公司的中央电能输送指挥中心工作。日本关西电力公司大饭核电站3号反应堆5日开始供电，结束日本将近两个月的“零核电”状态。大饭核电站3号反应堆开始供电后，工作人员在日本大阪关西电力公司的中央电能输送指挥中心工作。日本关西电力公司大饭核电站3号反应堆5日开始供电，结束日本将近两个月的“零核电”状态。日本大饭核电站3号反应堆开始供电后，工作人员在中央监控室内进行监控。日本关西电力公司大饭核电站3号反应堆5日开始供电，结束日本将近两个月的“零核电”状态。

　　1.2 2011年功率半导体市场 英飞凌连续九年第一

　　据市场调研公司IMS最新报告，2011年功率半导体市场增长9%至约180亿美元。而英飞凌则已连续第九年高居榜首。

　　IMS表示，在2011年上半年，功率半导体市场表现良好，但下半年由于库存调整需求，市场于第三季开始放缓并于第四季大幅下挫。2011年，电源模块市场比功率器件市场表现好得多。功率器件市场仅增长了3%，同时，电源模块市场因太阳能、汽车电子以及消费电子应用，大幅增长了32%。电源模块市场的增长主要动力源于太阳能和汽车市场的平稳发展，而分立器件表现不佳则源于消费电子和白色家电市场的波动较大。英飞凌仍是功率分立器件和电源模块的第一大供应商。其他市场份额增长的厂商还有电源模块专家三菱电机，富士电机和赛米控。

　　IMS高级市场分析师RichardEden表示：“三菱电机在电源模块市场的优异表现，使其缩小了与英飞凌在整体功率半导体市场上的差距。”

　　值得一提的是，2011年，电源模块市场中，日本厂商所占份额由2010年的48%上涨到51%。

　　2011年全球功率半导体市场(分立器件和电源模块)十大供应商排名为：

　　1.Infineon   2.MitsubishiElectric   3.Toshiba    4.STMicroelectronics    5.InternationalRectifier    6.FujiElectric　7.Fairchild　8.Vishay　9.Renesas　10.Semikron

　　1.3 国内光伏逆变器上市企业大ＰＫ

　　因为看好光伏行业的发展前景，我国逆变器生产企业在迅速增加，由于光伏逆变器是基于电力电子技术的并网装置，因此传统电源生产企业在技术上都有一定的进入基础。目前，国内上市公司中已涉足光伏逆变器的有阳光电源、科士达、荣信股份、广电电气、科华恒盛、科陆电子、汇川技术、英威腾等，其中阳光电源的逆变器销售量远大于其它几家，科士达和荣信股份也有几十MW的销量，而其它几家目前则很少。

　　从竞争力角度来看，阳光电源具有明显的先发优势，其技术、品牌和专业市场的服务能力都领先于其它竞争者。从业绩弹性来看，阳光电源的光伏逆变器业务比例最高，科士达其次;其它几家企业目前逆变器业务很少或是还没有，以目前企业营业总收入做基数，如果产生同样数量的逆变器销售，业绩弹性最大的是科华恒盛、英威腾和九洲电气。因此，通过综合比较，我们在光伏逆变器领域最看好阳光电源、科士达和科华恒盛、汇川技术。

　　1.4 可编程逻辑：路在何方？

　　在加州Santa Cruz举行的Globalpress 峰会上，几家FPGA主要厂商对于未来可编程逻辑的发展，都有自己的看法。

　　Altera工业和计算部门的高级副总裁兼总经理Jeff Waters：可编程逻辑市场下一阶段的重大进步在于硅片的融合。一方面是通用处理器(微处理器和DSP)和FPGA在融合，另一方面FPGA和应用特殊处理器(ASSP和ASIC)也在融合，而兼容的方案就是将灵活的通用处理器与高效的ASIC集成在同一块芯片上。将微处理器电路和DSP内核放在一个FPGA上，通过增加针对特定应用的IP提升效率，所有这些都通过可编程的方式连接在一起。这种混合芯片被称为“混合系统结构”。

　　OpenCL是Altera实现远景的关键。开放式标准允许编译C程序然后再在FPGA上运行(根据Waters的说法，还包括图形处理单元、微处理器和DSP)。这意味着你可以使用现有的算法很快重新编译，然后运行在FPGA上，从而比较功率和性能表现。有趣的是软件工程师还能在硬件层面上实现设计，这在以前，如果不是RTL行家的话是不可能的。

　　赛灵思对未来的看法也包括了融合，但方法有所不同。他们的观点是，完全可编程的系统会是未来的主导。

　　赛灵思负责可编程平台的高级副总裁Victor Peng描绘了一幅多裸片3D堆叠的图形，硬件和软件都是可编程的，即使模拟和混合信号的部分也是可编程的。他指出：赛灵思已经有一些可编程的ADC和3D芯片使用了堆叠硅片互联技术，并且强调这并不是概念论证，而是已经为客户提供的产品。

　　因此，赛灵思开发了一个可编程平台，用于其未来所有可编程器件，支持软件和硬件编程，是一个统一的集成开发环境，名为Vivado。Vivado计划用于未来十年新一代技术的系统及设计。

　　Peng表示，他们从最基础开始设计这款开发环境，突破了系统集成的瓶颈。Peng的观点是，起始于本世纪，随GPU发展起来的的OpenCL重点仍然围绕着GPU。他承认OpenGL联盟现在有更多的GPU厂商加入，但仍认为需要一段时间才能真正突破特定领域的限制得到快速发展。

　　1.5 28nm量产致胜关键在于HKMG

　　格罗方德技术长办公室先进技术架构主管Subramani Kengeri表示，该公司在32nm节点即引进HKMG制程，为更高密度电晶体实现低漏电流效益;相较于至28奈米才改用HKMG的竞争对手，技术成熟度略胜一筹。因此，拥有充足的HKMG制程量产经验，将是格罗方德往后在28奈米，甚至是20奈米先进制程决胜的优势。

　　GLOBALFOUNDRIES(全球晶圆)技术长办公室先进技术架构主管Subramani Kengeri认为，无论是18寸晶圆或EUV微影制程的量产，目前都还言之过早。Kengeri强调，目前格罗方德的HKMG技术已演进至第三代，专为28、20nm量身打造，并针对无线通讯、行动运算晶片及高阶中央处理器 (CPU)/绘图处理器( GPU)，分别提供相应的超低功率(SLP)、高效能低漏电(LPH)及增强高效能(HPP)三款制程选择。

　　日前亦于2012年设计自动化会议 (DAC)中，展示基于HKMG的28奈米SLP晶片验证设计流程，为先进类比/混合讯号(AMS)设计提供闸极密度、高效能与低功耗各项优点并存的 生产方案。由于28nm制程与设计工具须紧密契合，方能因应各项生产挑战。因此，格罗方德亦扩大与明导国际(Mentor Graphics)、新思科技(Synopsys)与益华(Cadence)等电子设计自动化(EDA)工具商合作，确保将类比矽智财(IP)顺利整合至 数位系统单晶片(SoC)。随着28nm技术臻于完备，格罗方德已拿下不少订单。Kengeri指出，2011年第四季，该公司营收已超越联电;且在45奈米以下先进制程的营收比重高达40%，而联电还不到10%。估计在行动风潮持续加温下，两家公司未来营收差距将逐步扩大。

　　2.厂商要闻链接

　　2.1 华为收购华赛后首度亮相:整合为两个产品线

　　7月11日消息，以5.3亿美元收购赛门铁克持有的华赛49%的股权后，原华赛的人员和产品已以新的面目出现，据悉，华赛已成为华为(微博)企业业务群组的一部分，主要构成华为企业业务群组的两个产品线。在7月10日的华为一个发布会上，华为宣布推出4款OceanStorT系列存储产品和4款Tecal 服务器，而存储和服务器产品正是之前华赛的主要产品。

　　华赛是华为和赛门铁克于2008年在香港成立的一家合资公司，该合资公司向客户提供创新的安全、存储与系统管理解决方案。去年11月，华为曾宣布，华为与赛门铁克已经达成协议，由华为收购赛门铁克在双方的合资公司——华赛中所持有的49%股权，价格约5.3亿美元(约合33.6亿元人民币)。2012年3月，国家发改委核准了该次收购。

　　据悉，华赛的存储产品部门已经与华为以前的服务器、云计算组成华为IT产品线;华赛的安全产品部门则组成华为安全产品线，这两个产品线都是华为企业业务群组的重要组成部分。在人事上，原华为赛门铁克存储产品线总裁范瑞琦已担任华为存储产品线总裁;华为IT产品线总裁郑叶来曾是华为无线产品线副总裁。在整合后，华为一口气推出8款存储及服务器产品，显示华赛在这方面的底蕴，加上华为原有产品线，华为已经完成了企业业务全部产品线布局，华为表示，其可提供存储、服务器、云计算以及数据中心系列产品和解决方案，形成以网络产品为基础、以计算和存储产品为核心、以安全产品为保障、以应用产品为导向的格局。

　　2.2 三星在韩国发布75英寸LED电视：售1.7万美元

　　三星日前正式开始在韩国销售75英寸LED背光电视。这款型号为75ES9000的电视厚度仅为7.9毫米。

　　除了可以通过智能电视应用兼容Netflix和Twitter等网络服务外，该产品还内置WiFi和视频摄像头，可以用于视频会议。该摄像头还可以方便用户利用手势与屏幕进行互动，类似于微软的Kinect体感控制器，而且可以利用语音控制电视。

　　这样一款电视虽然非常诱人，但售价同样不菲，在韩国的零售价为1980万韩元（约合1.7442万美元）。

　　

　　2.3 英特尔41亿美元收购ASML 旨在450mm大尺寸晶圆

　　北京时间7月10日消息，芯片巨头英特尔周一表示，将向芯片设备制造商ASML公司投资至多41亿美元，获取后者15%股权。

　　英特尔称，首先将向ASML投资21亿美元，获得ASML 10%的股权；接下来经过股东同意后，再投资10亿美元，获得另外5%的股份。此外，ASML还将分步获得英特尔10亿美元资助，用于加速交付生产芯片晶圆所需的新设备。

　　ASML的设备在生产电脑芯片工艺中至关重要，该设备需要多年筹备和交付。目前，英特尔和其竞争对手正从300毫米晶圆向450毫米晶圆过度，这需要其重塑生产工具。

　　市研机构Evercore分析师帕特里克•王（Patrick Wang）表示：“英特尔意识到，没人能尽快向其供应450毫米晶圆。如果他们看到限制，他们不会放手。”

　　英特尔COO布莱恩•克兰尼克（Brian Krzanich）表示：“向更大晶片的过渡，可以使芯片成本降低30%-40%。我们越早动手，就能越快从中获得收益，这为客户和股东创造了巨大价值。”

　　2.4 RIM做出艰难而正确的选择:坚持BlackBerry!

　　随着RIM手机业务的下滑，加上自家BlackBerry 10平台的多次延迟发布，现在媒体之间盛行这么一个传言：RIM将会联合微软，用Windows Phone平台取代自家的BlackBerry 10。不过从今年的RIM年度股东大会上，首席执行官Thorsten Heins的举动似乎暗示着一些东西。

　　在大会上，Heins坚决的表示，在BlackBerry 10手机还没有正式推出之前，BlackBerry 7的生产线会继续工作。而未来的BlackBerry 10手机将会提供全触控和QERRTY键盘两种款式，预计在明年的第一季度发布。而在应用方面，BlackBerry 10平台将集成支持视频聊天的BlackBerry Messenger，Heins认为这款应用在下一代的通讯套件中会扮演着重要的角色。

　　此外，我们近日在TheVerge上也看到一张没有物理键盘的BlackBerry 10手机工程图，里面集成了比较热门的Facebook官方应用。通过这些信息，我们可以大胆做出一个推测：有关RIM要放弃BlackBerry 10、联手微软推出Windows Phone的谣言是不靠谱的。客观的说，微软的Windows Phone的确是个不错的平台，不过它在美国手机市场的占有率仅为4%，远低于BlackBerry平台的11%市场份额。相比于Android和iOS平台来说，Windows Phone平台还是处于劣势，微软固然想拉拢RIM。目前跟微软合作的手机制造商并不多，而且仅有诺基亚做的比较出色而已。若他能顺利与RIM结盟，他可以得到两个好处：第一是减少对诺基亚的依赖，第二是通过限制BlackBerry手机的出货量提高Windows Phone平台的市场占有率。

　　目前BlackBerry App World的应用下载量已经突破了30亿次，RIM也打算投资1亿美元为BlackBerry平台打造开发者社区。其实BlackBerry手机并没有媒体说描述的那么差劲，说不定只是一些巨头“花钱埋写手”蓄意描黑罢了。RIM目前最需要关注的，不是更换平台问题，而是如何在资金缺乏的情况下快速建立自己的应用生态!

　　2.5 恩智浦CTO下台 管理层动荡

　　最近，恩智浦的管理层又有了不少变化，效忠公司26年之久的首席技术官René Penning de Vries下台了。

　　

　　René Penning de Vries

　　几个月以前，恩智浦的首席财政官Karl-Henrik Sundström刚刚宣布了辞职的消息。恩智浦的官方发言人表示，二者的辞职都是个人原因。“因个人原因，而且他们也没有做出什么财政上的业绩。”发言人表示。

　　恩智浦作为一个全球领先的高性能混合信号和标准产品的制造商，与去年同期相比，今年第一季度可谓是一个很艰难的开端，净收入骤降59%，销售额下降了9.6%，公司预计在7月26日发布其第二季度业绩。

　　恩智浦同时任命Sean Hunkler为执行副总裁，将于7月16日上任。Hunkler将会接替恩智浦现任CFO Peter Kelly。Sean Hunkler将与Chris Belden一同负责公司的全球业务。

　　研发高级副总裁Hans Rijns将会担任临时的CTO，而他的继任者相信不久将会宣布。

　　“管理层的动荡不会对我们的产品和研发路线产生任何影响。”发言人表示。

　　2.6 LabVIEW再放光芒 NI与TU Dresden研发5G无线系统新技术
 

　　NI将与TU Dresden携手合作，运用NI LabVIEW 系统设计软体研发5G 无线系统新技术。因为 3.5G 与 4G 系统仍处于开发阶段，所以5G 无线系统的研究环境尚未成熟。TU Dresden 先前曾与致力于研究先进无线通讯技术的 Vodafone Chair Mobile Communications Systems 合作，首创 3G 系统研究。这项计划的目标在于解决业界相关的新一代无线系统挑战，研究内容不仅周延完善，同时还与业界密切合作。

　　NI RF 与通讯工具可协助我们透过单一软体设计流程来设计出 OFDM 原型制作系统，Vodafone Chair Mobile Communications Systems 计画主持人 Gerhard Fettweis 教授表示，有了 NI PXI 模组化系统，我们就可以从 SISO 连结开始一路拓展到 MIMO 连结，只要适度修改程式码即可，甚至还可以随着研究更加深入，扩充 8×8 的配置规模。TU Dresden 堪称全球数一数二的研究大学，在新一代无线通讯系统的研究领域中屡屡求新求变，不断突破创新，NI 总裁、执行长兼创立者 James Truchard 博士指出：我们很荣幸能协助参与未来技术的研发与创新，这绝对会影响每一位手机使用者。

　　3.热点新品回顾

　　3.1 飞思卡尔推出Kinetis L系列微控制器

　　飞思卡尔半导体即将推出Kinetis L系列的alpha样品，是业界首款採用ARM Cortex-M0+处理器的微控制器。Kinetis L系列元件亦在早前的在飞思卡尔技术论坛(FTF)美国场次上展示。

　　Kinetis L系列以最新的低功率MCU平台设计、操作模式及节能週边，补足了核心的能源效益。设计出来的MCU在极低功率执行模式(VLPR)时，仅耗用50 uA/MHz，而且可以迅速从低功率状态下甦醒、处理资料、再继续休眠，延长了应用的电池寿命。在早前举行的FTF上亦有展示，并对Kinetis L系列的能源效益特性与飞思卡尔竞争对手的解决方案进行CoreMark评比分析，作一比较。Kinetis L系列同时也是飞思卡尔能源效益解决方案计画的一部分。

　　Kinetis L系列的节能週边只需较少功率便能完成多种任务，因为它们即使在MCU处于深层睡眠模式时仍维持功能。以传统的MCU来说，仅仅是收发资料、捕捉或产生波形、或是类比讯号取样这等琐事，主要时脉及处理器核心都必须保持启动，才能执行。Kinetis L系列的週边能够执行上述作业，但不必动用核心或主系统，因而大幅降低了功率损耗、也延长了电池寿命。

　　Kinetis L系列採用了飞思卡尔曾获大奖的创新快闪记忆体技术，其快闪记忆体所需功率为业界最低。这种技术会产生奈米大小的硅晶岛，而非以薄膜储存电荷，它改进了传统的硅晶式电荷储存法，同时也改良了快闪记忆体以往不易抗拒资料损失的缺点。

　　Kinetis L系列特别注重对于入门级研发人员非常重要的简易使用性需求。每一个Kinetis L系列成员都包括可延伸的快闪记忆体选项，脚位数目及类比、通讯、计时和控制週边，为终端产品的扩充提供了简化的升级途径。

　　3.2 科锐推出新型S波段GaN晶体管器件
 

　　

全新60W GaN HEMT Psat晶体管帮助降低军用和民用雷达系统，对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求

　　科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S 波段雷达中的高效GaN HEMT 晶体管。新型 S 波段GaN HEMT 晶体管的额定功率为60W，频率为 3.1至3.5GHz 之间，与传统Si或 GaAs MESFET 器件相比，能够提供优越的漏极效率（接近70%）。同时，高效率和高功率密度的结合有助于最大限度地降低散热的要求，并减少在商用雷达系统应用中的尺寸与重量。

　　科锐无线射频（RF）及微波部门总监 Jim Milligan表示：“新型 S 波段 GaN HEMT 器件的推出丰富了科锐高效 S 波段GaN晶体管与单片式微波集成电路（MMIC）产品系列，从而为客户在商用雷达系统高功率放大电路的应用中提供更多的选择。高效的 S 波段 GaN HEMT 器件率，在具有优异信号保真度的同时扩展脉冲能力，并最大限度地降低散热管理需求，从而能够帮助无线射频设计工程师大幅度地降低雷达系统的尺寸和重量，同时扩大应用范围并降低安装成本。”

　　科锐 CGH35060 GaN HEMT 晶体管28V 工作电压下的额定脉冲功率为 60W（当脉宽为100微秒时），功率增益为12dB，漏极效率为 65%，与传统硅 LDMOS 器件相比高出50%。CGH35060 型 GaN 器件已经在高功率放大器参考设计（S 波段频率在3.1至3.5GHz 之间）中得到验证。与 GaAs和Si技术相比，CGH35060 还具有长脉冲、高功率性能（低于0.6dB）、优异的信号保真度以及非常低的功率衰减等特性。

　　3.3 读写186MB/s!索尼发布世界最快XQD存储卡

　　索尼今天宣布推出新的“S Series”系列存储卡，符合最新的XQD标准规范，读写速度最高均可达惊人的186MB/s，轻松成为世界上最快的存储卡产品，尤其适合专业摄影记者。XQD规范是CF协会批准授权的一种新型开放式存储卡格式，使用独特的主控制器和优化的闪存芯片实现更高速的数据处理，从而大大提升读写速度，超越CF卡极限的167MB/s。

　　索尼S Series系列存储卡容量有32GB、64GB两种，产品编号QD-S32/T、QD-S64/T，是对之前H Series系列的补充和增强。后者也支持XQD规范，但容量只有16GB、32GB，速度最高不过125MB/s。

　　索尼还会在本月底提供一个特别驱动，再搭配合适的读卡器，就能从Thunderbolt雷电接口设备上向Mac苹果系统传输文件。

　　索尼S Series QXD存储卡即日起开始上市，32GB、64GB型号分别售价259.99美元、459.99美元。索尼还同时提供USB 3.0、ExpressCard 34接口的XQD读卡器MRW-E80、QDA-EX1。

　　3.4 TDK公司研发超薄无线充电系统

　　TDK公司今天展示了一种电线圈系统，它符合无线充电联盟的Qi标准，加上专有的灵活薄金属磁板，形成了一个超薄、超轻的无线电力系统，支持在40mm距离内充电，并获得100多家公司的支持。TDK称，目前的输出电流大约是0.5至0.6安培，且该公司目前仍在实验室开发更薄的0.50毫米版本，这种版本虽然薄，但能有更大的电流输出。

　　而这个新的充电功能可用于无限耳机，还包括谷歌的新产品Google Glass。

　　TDK公司预计于2013年开始大规模生产其新的无线电力传输元件，不过该公司并没有公布原始设备制造商。

　　3.5 Maxim推出四款全新的数字光传感器 实现多种检测

　　MAX44004是一款低功耗ALS传感器，电流损耗仅为5µAMaxim Integrated Products （NASDAQ： MXIM）推出四款全新的数字光传感器，器件内置多个传感器，具有极高的模拟集成度。 MAX44004/05/06/08支持红/绿/蓝（RGB）光信号检测、环境光（ALS）检测、接近检测以及红外（IR）信号和温度信息的测量。紧凑的封装集成了多达7个传感器，这些传感器提供可靠且可重复的测量，MAX44005/MAX44006/MAX44008具有业内最低的电流损耗，每片仅为 20µA。高集成度特性有效降低系统成本、省去多个外部元件、大大简化设计。这些光传感器的应用范围很广，包括：智能手机、平板电脑、便携式消费类电子产品、显示屏、数字光管理系统、安全系统以及医用设备。

　　高度集成的光传感器

　　• MAX44004是一款低功耗ALS传感器，电流损耗仅为5µA。

　　• MAX44006/MAX44008集成RGB传感器、ALS传感器、IR传感器和温度传感器。

　　• MAX44005包含RGB传感器、ALS传感器、IR传感器、IR接近检测传感器和温度传感器。

　　业内评价

　　“世界正在朝着随处互联、传感器随处可见、技术壁垒逐渐消失的方向发展”，Maxim Integrated Products移动事业部高级副总裁Chae Lee评价道：“我们的目标是借助这些器件延伸探寻自然的触角”。

　　3.6 英飞凌推出全新射频功率LDMOS晶体管

　　英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术，全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计的高功率密度和称雄业界的可靠性。

　　PTVA家族的首批产品包括两套成对的驱动和输出晶体管——具备400W和500W输出功率，适用于L频段和UHF频段雷达系统——和一个适用于965 MHz 至1215 MHz商用航空电子设备频率的应用的1000W器件。每个器件最低都能承受10:1 VSWR(电压驻波比)负载失配，其可靠性是同类器件的两倍。

　　英飞凌科技副总裁兼射频功率业务总经理Gerhard Wolf指出：“全新推出的这个系列器件，立足于我们骄人的质量记录和出类拔萃的射频功率性能，能够满足能效不断提高、更加经济实惠的系统设计的各种要求。依托50V LDMOS工艺，航空电子设备和雷达工程师如今在设计轻型可靠的紧凑型系统时可达成其功率输出目标。”

　　PTVA系列器件的出色可靠性，有助于提高系统在高噪声信号环境下的性能，相对于其他替代器件而言可降低电路设计的复杂度，从而降低系统总成本，并改进系统可靠性。低至0.20摄氏度/瓦的热阻还有助于实现更出色的热管理，而采用小型散热器可进一步增强可靠性，同时降低成本。

　　以下是PTVA系列器件在三个工作频率范围(在P3dB下测量)内的典型性能汇总：

　　●390 MHz 至450 MHz：PTVA035002EV具备17.5 dB的增益和65%的能效，输出功率可达500W。配对驱动PTVA030121EA具备22 dB增益和73%能效，输出功率为14W(50V，具备12微秒10%占空比脉冲);

　　●1200 MHz至1400 MHz：PTVA123501EC具备13 dB增益和52%的能效，输出功率达400W。配对驱动PTVA120251EA具备14.5 dB增益和58%能效，输出功率为38W(50V，具备100微秒10%占空比脉冲)

　　●965 MHz至1215 MHz：PTVA101K02EV具备15.5 dB增益和60%的能效，输出功率为1100W(50V，具备100微秒10%占空比脉冲)。

　　所有器件采用符合RoHS标准的空腔陶瓷封装。