影响静态均流的因素 IGBT芯片温度对均流的影响

IGBT并联技术一IGBT均流问题

 

影响静态均流的因素

1、并联IGBT的直流母线侧连接点的电阻分量，因此需要尽量对称；

2、IGBT芯片的Vce(sat)和二极管芯片的VF的差异，因此尽量采取同一批次的产品。

3、IGBT模块所处的温度差异，设计机械结构及风道时需要考虑；

4、IGBT模块所处的磁场差异；

5、栅极电压Vge的差异。

影响动态均流的因素

1、IGBT模块的开通门槛电压VGEth的差异，VGEth越高，IGBT开通时刻越晚，不同模块会有差异；

2、每个并联的IGBT模块的直流母线杂散电感L的差异；

3、门极电压Vge的差异；

4、门极回路中的杂散电感量的差异；

5、IGBT模块所处温度的差异；

6、IGBT模块所处的磁场的差异。

IGBT芯片温度对均流的影响 IGBT芯片的温度对于动态均流性能和静态均流性能影响很大：

1、由于IGBT的Vcesat的正温度系数特性，使温度高的芯片的Vcesat更高，会分得较少的电流，因此形成了一个负反馈，使静态均流趋于收敛；

2、根据我们的经验，我们发现，芯片温度变高后，动态均流的性能也会变好；例如在测试动态均流时，我们会使用双脉冲测试方法，但这时芯片是处于冷态的，当把机器跑起来后，动态均流会改善。

IGBT芯片所处的磁场对均流的影响 IGBT模块附近如果有强磁场，则模块的均流会受到影响。

1、如果两个IGBT模块并联且并列安装，如果交流排的输出电缆在摆放时靠近其中某一个IGBT模块而远离另外一个，则均流性能就会出问题；

2、以上现象的原因是某个大电流在导线上流动时会产生磁场，对磁场内的其他导通的电流产生“挤出”或“吸引”的效应；

因此，在结构设计时，需要注意交流排出线的走线形式，以免发生磁场的干涉现象。

审核编辑：刘清