长飞先进武汉基地宿舍楼提前封顶，预计明年7月投产

　　据中国光谷5月10日消息披露，长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼近日提前完工。这标志着，项目步入投产阶段，有望在今年6月实现全面完工，并于明年7月正式投产。项目落成后，将成为我国最大的碳化硅功率半导体制造基地。

　　长飞先进武汉基地坐落在武汉新城核心区域，由长飞先进半导体（武汉）有限公司斥资打造，总投资预计逾200亿元。

　　该项目专注于第三代半导体功率器件的研发和生产，涵盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等多个领域。项目投产后，预计每年可产出36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块。

　　2023年9月1日，长飞先进半导体武汉基地在武汉新城举行了奠基仪式，当时公布的计划是一期工程将于2025年竣工。

　　据悉，该项目占地面积达22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，主要建设内容包括芯片厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套设施等，建设周期为578天。