晶圆外缘为什么不利用-边缘去除法

2公厘的神圣领域

观察矽晶圆的外缘，可以发现有如图4-6-1所示的边缘磨边加工。此种针对外缘进行磨边的加工，一般称为“导角（beve-ling）。

导角加工，目的在于将矽晶圆收纳于搬运盘中进行运输时，降低因为施加于矽晶圆外缘的微小机械应力，所导致的细小微尘生成。因此，导角部分除了形状，亦需要形成与晶圆表面一致光滑洁亮。

然而，当在矽晶圆上制作大量半导体晶片时，考量此导角部分的存在以及其他因素，如图4-6-2所示，从外缘位置去除导角部分后，会再去除2公厘左右的区域，才在内侧开始进行晶片配置。将晶圆周围去除一部分的领域，此领域称为“除外（exclusion）”。

将此领域去除的理由，主要是考虑光蚀刻制程中，将光阻涂布于晶圆上时，因晶圆周边的导角构造的存在而易使光阻发生涂布不均、厚度均一性较差的问题，而导致高精密的图样加工难以进行。再者，将涂有光阻的晶圆进行运送或操作时，因加诸于晶圆边缘上的机械外力使光阻发生剥离，而导致细微粒子的产生，抑或对曝光机的晶圆基座或运送用的载具造成污染的情形发生。另外，在各段成膜制程中，成长于晶圆边缘的薄膜，经常于后续的晶圆操作过程中剥离，形成细微粒子或污染原因。

对良率的贡献

晶圆边缘的除外区域有几种不同的制作方法；如图4-6-3所示，于晶圆上完成光阻涂布后，将晶圆旋转并于周边区域滴下稀释剂，是为一种常见的方法。

对于细微粒子亦或微量不纯物极度排斥的半导体，像是这类细部的研究成果，对良率及可靠性的改善，具有极大的贡献。

审核编辑：刘清