台积电未确定是否采购阿斯麦高数值孔径极紫外光刻机

　　据台积电高管透露，他们对于使用阿斯麦的下一代“High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）”设备并非必需，该设备主要应用于研发中的A16芯片制造技术，预计将于2027年面世。

　　尽管High NA EUV光刻机有望使芯片设计尺寸缩减达三分之二，但芯片制造商需要权衡利弊，考虑其高昂的成本及ASML老款设备的可靠性问题。

　　台积电的主管Kevin Zhang在阿姆斯特丹举行的一场会议中提到，虽然公司的A16工厂有可能采用此项技术，但目前仍处于讨论阶段。当前，台积电已是ASML常规EUV光刻机的最大用户。

　　“这项技术值得肯定，但定价确实令人困扰，”Zhang指出，台积电的A16生产线将延续2纳米生产节点，这个项目预期于2025年开始量产。他同时表示，“待High NA EUV技术开始发挥作用之际，关键在于实现最佳的经济效益和技术水平之间的平衡。”

　　现阶段，预计每台High NA设备的造价将高达3.5亿欧元（约合3.78亿美元），而ASML常规EUV设备的价格则为2亿欧元。

　　英特尔在上个月宣布，他们已经成功组装了ASML新型High NA EUV光刻工具，这被视为其超越竞争对手的重要步骤。