碳化硅衬底片比较重要的参数有哪些？

本文介绍了碳化硅片比较重要的参数。

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Lattice Parameters：晶格参数。确保衬底的晶格常数与将要生长的外延层相匹配，以减少缺陷和应力。  

Stacking Sequence：堆砌顺序。SiC宏观上都是由硅原子和碳原子以1:1的比例构成，但原子层的排列顺序不同，则会形成了不同的晶体结构。因此碳化硅有着许多不同多晶型，如3C-SiC，4H-SiC，6H-SiC等，分别对应的堆砌顺序为：ABC，ABCB，ABCACB等。  

Mohs Hardness：莫氏硬度。确定衬底的硬度，硬度影响加工难易程度和耐磨性。  

Density：密度，影响衬底的机械强度和热性能。  

Thermal Expansion Coefficient：热膨胀系数，指的是衬底在温度升高一摄氏度时，其长度或体积相对于原始长度或体积的增加比例。衬底和外延层在温度变化下的配合情况，影响器件的热稳定性。  

Refraction Index ：折射率，对于光学应用，折射指数是设计光电器件的关键参数。  

Dielectric Constant：介电常数，影响器件的电容特性。  

Thermal Conductivity：热导率，对高功率和高温应用至关重要，影响器件的冷却效率。  

Band-gap：带隙，指半导体材料中价带顶端和导带底端之间的能量差。这个能量差决定电子能否从价带跃迁到导带。宽带隙材料需要更高的能量才能激发电子跃迁。  

Break-Down Electrical Field：击穿电场，半导体材料可以承受的极限电压。  

Saturation Drift Velocity：饱和漂移速度，载流子在半导体材料中施加一定电场后能够达到的最大平均速度。当电场强度增加到一定程度时，载流子的速度不会再随电场的进一步增强而增加，此时的速度称为饱和漂移速度。     

 

审核编辑：刘清