据工商业日报报道,AI芯片需求大幅增长,硅中间层面积扩大,间接影响了12寸晶圆的产量及CoWoS封装供应量,供需矛盾日益突出。
不断壮大的芯片
行业观察者预测,英伟达即将推出的B系列产品,如GB200, B100, B200等,将对CoWoS封装产能产生巨大压力。据IT之家早前报道,台积电已计划在2024年提高CoWoS产能至每月近4万片,较去年增长逾150%。
预计2025年总产能将再翻番。然而,英伟达新款B100与B200芯片的中间层面积增大,使得12寸晶圆切割出的芯片数量减少,CoWoS封装产能难以满足GPU需求。
HBM的挑战
业界人士指出,HBM同样面临诸多问题。例如,SK海力士作为HBM市场占有率最高的企业,其EUV层数正逐渐增加。从1α阶段的单层EUV,升级至1β阶段,甚至有望将EUV使用量提升3~4倍。
此外,随着HBM的多次迭代,DRAM数量亦随之增加。HBM2中DRAM数量为4~8个,HBM3/3E则增至8~12个,而HBM4中DRAM数量将达到16个。
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !