可控硅保护器件制作方法与应用——错位触发原理详解

　　截至2024年5月14日，上海维安半导体有限公司的“一种基于错位触发的可控硅保护器件”发明专利正式公之于众，其申请公开编号为CN118039639A。

　　该项技术创新结合了至少一个插指单元，每个单元的核心组件包括：衬底及在衬底一表面上生成的外延层；第一N型阱区和P型阱区，分别在外延层内形成；第一N+区和第一P+区，分别在第一N型阱区内生成，且第一P+区与第一N+区电性相连，构成了保护器件的阳极；第三N+区，在P型阱区内生成，其电性输出端则作为保护器件的阴极；第二N+区和第二P+区，同样在外延层内生成，其中第二P+区位于第一N型阱区远离P型阱区的一侧，并与第二N+区直接接触。此设计的优势在于，通过将导通路径与触发路径分离开来，显著提升了器件的稳定性和可靠性。