江苏鲁汶仪器股份有限公司揭示原子层刻蚀新方法

　　近日，天健专利商标事务所有限公司公布了江苏鲁汶仪器股份有限公司的一项技术专利——《一种原子层刻痕工艺》（PN1145760）。该专利于2024年5月14日提交申请，专利号为CN118039471A。

　　本专利主要涉及半导体设备制造领域，涉及的是一种高效原子层刻痕解决方案。工艺具体为主体步骤分为两个阶段：首先采取等离子处理方式将氯元素引入晶片表面，进而形成氯化图层；之后，通过等离子处理的氮气，实现氯化层的精确刻痕。相较于现有方法，此工艺不仅能降低晶格损伤和电损，同时也可提升氮化镓刻痕效果。实验数据显示，使用现有方法刻痕氮化镓后，晶片表面的氮元素含量约为51.4%；而采用新工艺刻痕后，氮元素含量降至47.8%。这说明，经过氯元素改性的氮气刻痕，能显著减少氮空位，从而减轻晶格损伤和电损。