美高森美半导体扩展NPT IGBT产品系列

　　功率、安全性、可靠度和效能差异化半导体解决方案供应商美高森美公司（Microsemi） 宣佈其新一代1200V非贯穿型（non-punch through，NPT）系列的叁款IGBT新产品：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。该产品系列的所有元件均採用美高森美的先进Power MOS 8技术，整体开关和导通损耗比竞争解决方案显着降低20%或以上。这些IGBT元件专为如焊接机、太阳能逆变器和不断电与开关电源等高功率的高性能开关模式产品而设计。

　　美高森美的1200V解决方案可与其FRED或碳化硅萧特基（Schottky）二极体组合封装，为工程师提供高整合度解决方案，以便简化产品开发工作。其它特性包括：闸极电荷（Qg） 比竞争产品显着减少，提供更快的开关性能；硬体开关运作频率高于80 KHz，达到更高效率的功率转换；易于并联 （Vcesat之正温度系数），可提升高功率应用的可靠性；以及额定短路耐受时间（Short Circuit Withstand Time，SCWT），为需要短路能力的应用提供可靠运作。

　　此外，美高森美将于短期内提供採用SOT-227封装的APT85GR120JD60元件，包含了一个採用美高森美的专有採用美高森美的专有「DQ」系列低开关损耗、额定雪崩能量二极体技术製造的60A反向平行 （anti-parallel） 超快速恢復二极体。

　　美高森美公司的APT85GR120B2电晶体採用TO-247 MAX封装，APT85GR120L採用TO-264封装，APT85GR120J则採用SOT-227封装。美高森美新型NPT IGBT元件已完全满足性能要求及在产，客户可经由当地分销商或美高森美销售代表取得样品。