据报道,在昨日的摩根大通投资者活动中,美光宣布其2025 年HBM存储器相关的供需谈判已经达成初步共识。
该公司管理团队明确指出,已经和下游客户就明年HBM产品的订购数量和定价达成了基本协议。
美光预计,HBM内存将在2024财年为其带来数亿美元的收入,并在2025财年进一步增长至数十亿美元。
此外,美光还预计,未来几年内,其HBM内存位元产能的年均增长率将达到50%。
为了满足HBM领域的旺盛需求,美光决定将本财年的资本支出预算由原计划的75~80亿美元调整为80亿美元(约合人民币579.2亿元)。
在HBM技术方面,美光本季度推出了12层堆叠的HBM3E内存样品,预计这款产品将成为推动2025年业绩增长的主要动力。
在非HBM领域,美光预计高AI算力PC对通用内存的需求将增长40~80%,同时LPDDR内存在数据中心市场的份额也将逐步扩大。
总的来说,美光预测DRAM内存行业的长期增长率将保持在15%左右,而NAND行业的长期增长率则有望超过20%。
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