三星HBM芯片因发热和功耗问题影响测试，与英伟达合作暂时搁浅

　　据三名知情者透露，因发热与能耗问题，三星最新款高带宽存储（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，这使得测试被迫中断。这款有问题的芯片为HBM3，是当前人工智能（AI）图形处理器（GPU）中最常采用的第四代HBM标准，同时也涉及到三星及其他竞争对手计划于今年推出的第五代HBM3E芯片。

　　这是三星首次公开承认未能通过英伟达测试的原因。三星在声明中表示，HBM是定制化存储产品，需“依据客户需求进行优化”，并强调正与客户紧密合作以提升产品性能。然而，对于具体客户信息，三星并未作出回应。英伟达同样保持沉默。

　　HBM是一种动态随机存取存储器，于2013年问世，通过芯片垂直堆叠以节约空间、降低能耗，适用于处理复杂AI应用所产生的海量数据。随着生成式AI的崛起，市场对复杂GPU的需求激增，HBM的需求也水涨船高。英伟达在全球AI应用GPU市场占有约80%的份额。

　　据悉，自去年起，三星一直在全力争取通过英伟达的HBM3和HBM3E测试。其中，三星8层和12层HBM3E芯片最近一次测试失败的结果于4月份公布。相比之下，SK海力士作为英伟达的主要HBM芯片供应商，自2022年6月起便开始供应HBM3；而美光则表示将向英伟达提供HBM3E。

　　目前尚不确定三星能否顺利解决上述问题，但消息人士指出，未能达到英伟达的要求已经引发业内和投资者的忧虑，他们担心三星的HBM技术可能会进一步落后于竞争对手SK海力士和美光。