三星HBM芯片虽通过英伟达测试，仍存挑战

　　据媒体报道，三星最新的高带宽内存（HBM）芯片至今仍未通过英伟达检验。有三位相关知情者称，此芯片面临着热能及能耗过高等难题。同时，这也直接影响到了HBM3和HBM3E两款芯片的表现。

　　对此，三星在声明中回应道，HBM为定制化内存产品，需依据客户需求进行优化流程。此外，他们正积极与客户紧密合作以提升产品性能。对于具体客户，三星并未作出评价。而英伟达则选择保持沉默。

　　据悉，自去年起，三星便致力于通过英伟达的测试以证明HBM3和HBM3E的性能。两位知情者透露，三星8层和12层HBM3E芯片的测试结果于今年4月公布，均未达到预期效果。

　　至于这些问题能否迅速得到解决，三位知情者表示，未能满足英伟达的要求无疑加剧了业内和投资者的忧虑，担心三星将在与SK海力士和美光等竞争对手的较量中落入下风。