富士通推出2.7V-5.5V大范围工作电压FRAM产品

　　香港商富士通半导体有限公司***分公司宣佈推出新款V系列晶片MB85RC256V。富士通半导体目前的V系列FRAM产品涵盖4KB、16KB、 64KB、256KB容量，MB85RC256V是首款可在2.7V-5.5V电压範围内运作的FRAM产品，有利于需要大範围工作电压零组件之设计。富士通半导体为全球非挥发性铁电随机存取记忆体（FRAM）领导厂商，将持续推出更大容量的产品，以满足各种市场需求。

　　

　　FRAM产品结合了ROM的非挥发性资料存储功能和RAM的优点，可提供1012次的读写、高速读写週期和低功耗等特点。此外，FRAM产品系统支援多种介面和容量，包括工业标準的串列和并列介面。富士通的FRAM产品比其他非挥发性记忆体的读写速度更快、耐久性更佳且耗电量更低。FRAM产品已广泛採用于测量、工业控制、汽车电子、金融业销售点管理系统等高阶应用领域；FRAM支援高速读写、高耐久性、低功耗等特性，对这些领域而言非常重要。

　　富士通半导体凭藉其丰富的开发与製造经验，进一步让设计与生产端密切合作并发挥最佳成效，透过稳定的供应链持续为客户提供高品质产品，巩固富士通半导体在市场上的基础。

　　MB85RC256V产品特色：

　　採用32kx 8位元配置，有256KB储存容量

　　1012次的读写次数

　　资料保持十年（+85°C）

　　作业电压範围介于2.7V-5.5V

　　在4.5V-5.5V电压範围内，运作频率可高达1MHz

　　在2.7V-4.5V电压範围内，运作频率高达400KHz

　　操作温度介于-40°C至85°C

　　有3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm两种尺寸的SOP-8封装规格

　　从2012年8月中旬开始提供样品，并于10月中旬量产供货。