功率器件晶圆市场的最新趋势和技术趋势

　　近日，日本市场研究机构富士经济发布的报告《功率器件晶圆市场的最新趋势与技术趋势》，深度分析了功率半导体晶圆市场现状及其发展前景。

　　报告预测，2024年，全球功率半导体市场将较去年增长23.4%，达到2813亿日元。尽管受库存调整影响，硅功率半导体硅片市场略有下降，但得益于各大厂家产能提升，预计SiC裸片销量将同比增长达56.9%，超硅片市场。

　　展望未来，伴随功率半导体需求持续上涨，预计市场规模将逐步扩大。尤其是汽车电动化推动下，SiC裸片有望成为市场主要驱动力，硅片亦有望摆脱产量调整影响。同时，GaN晶圆直径增大及氧化镓晶圆量产等新进展，预示着2035年市场规模将扩增至10，763亿日元，为2023年的4.7倍。

　　尽管当前功率半导体市场尚处起步阶段，但诸如金刚石晶圆、氮化铝晶圆、二氧化锗晶圆等前沿技术正积极研发，其实际应用令人期待。

　　报告指出，近年来，随着功率半导体需求攀升，晶圆直径不断加大。除转向300mm硅晶圆外，预计自2025年起，8英寸（200mm）SiC裸晶圆市场将迎来爆发式增长。此外，6英寸（150mm）GaN晶圆和氧化镓晶圆也在加紧研发中，以满足功率半导体市场需求。

　　然而，现阶段硅功率半导体主要依赖8英寸晶圆供应，预计未来8英寸晶圆占比仍将保持在60%以上（按晶圆数量计算）。300mm晶圆日益广泛应用于IGBT和MOSFET，随着汽车和电气设备领域需求增长，其采用率预计将继续提高，未来除特定器件外，8英寸和300mm晶圆将分别占据主导地位。

　　另据报道，目前SiC裸片以6英寸为主，预计该状况将维持一段时间，但8英寸晶圆市场预计将于2025年启动，部分样品已开始出货，预计到2035年，8英寸晶圆将占全部SiC裸晶圆（按晶圆数量计）的13.3%。相比之下，传统4英寸晶圆预计仅在中国和日本等少数地区得到应用，未来市场规模或将逐渐萎缩。