三星电子否认HBM产品未达标，多家合作公司保证质量

　　针对媒体报道三星电子高带宽存储（HBM）产品未达英伟达品质标准的传闻，三星予以明确否认。该报道列举了散热及功耗等问题，并称三星的HBM产品尚未经过英伟达严谨的测试环节。

　　三星电子对此进行回应，坚决表示“正按照规划向全球合作伙伴提供HBM材料”且与多家企业紧密协作以确保产品的卓越性能及稳定性。

　　HBM技术通过垂直堆叠DRAM芯片大幅提升数据处理效率，尤其在人工智能（AI）市场迅速发展的背景下愈发关键。面对HBM需求的急剧增加，三星电子与SK海力士展开激烈的市场竞争。

　　尽管三星在存储半导体领域一直保持领先地位，但在HBM领域却相对落后，这迫使该公司实施重大战略调整。

　　为应对竞争压力，三星近期更换了负责监管半导体业务的设备解决方案（DS）部门主管。

　　此次高层人事变动彰显出三星在HBM市场重塑竞争力的决心。今年四月，三星启动了第五代HBM产品8层HBM3E的批量生产，并计划于今年第二季度推出业界首款12层HBM3E产品。

　　三星电子再次强调对产品质量及可靠性的坚守。该公司表示：“我们致力于提升所有产品的质量和可靠性。我们正在严格检验HBM产品的质量和性能，以期为客户提供最优质的解决方案。”

　　然而，部分市场分析人士仍对三星能否在短时间内缩小与竞争对手的差距持有疑虑。