台积电成功集成CFET架构，预计2025年2nm技术实现量产，将支持A

　　台积电高级副总裁兼联席COO张晓强在2024技术论坛上透露，该公司已成功整合了多种晶体管设计，并在实验室中制造出CFET（互补式场效应晶体管）。他进一步指出，CFET有望应用于先进逻辑工艺和下一代逻辑工艺，台积电研发团队正致力于引入新型材料，以实现在单个逻辑芯片中容纳超过2000亿个晶体管，从而推动半导体技术不断进步。

　　张晓强强调，半导体行业的黄金时代已然来临，未来AI芯片的发展几乎99%都依赖于台积电的先进逻辑技术与先进封装技术。台积电凭借其技术创新，将使芯片性能提升，能耗降低。

　　关于2nm的进展，张晓强表示，采用纳米片技术的2nm进展顺利，目前纳米片转换效率已达目标的90%，良品率超过80%，预计将于2025年实现量产。

　　张晓强还提到，基于2nm技术，台积电全球首发的A16制程技术结合独特的背面供电技术，可使芯片性能较2nm提高8%-10%，同时能耗降低15%-20%。台积电计划于2026年将A16投入量产，首款芯片将用于数据中心高性能计算领域。

　　此外，台积电成功在实验室中集成了P-FET和N-FET两种不同类型的晶体管，制成了CFET架构的芯片，这是2nm采用纳米片架构创新之后的又一次全新晶体管架构创新。

　　张晓强表示，台积电研发团队将继续探索新的集成晶体管材料和创新架构，如Ws2或WoS2等无机纳米管或纳米碳管，这意味着除了将CFET引入更先进的埃米级制程之外，台积电还将持续推动更先进的晶体管架构创新。

　　另一方面，台积电3nm量产厂长黄远国表示，尽管台积电今年将把3nm产能扩大三倍，但仍然无法满足市场需求。为了满足客户需求，台积电今年将在国内外新建七座工厂，涵盖先进制程、先进封装和成熟制程。

　　黄远国指出，自2020年至2024年，台积电3nm、5nm、7nm制程产能的复合年均增长率高达25%，特殊制程则为10%，车用芯片出货量的复合年均增长率约为50%。

　　黄远国还表示，台积电特殊制程技术在成熟产品中的占比正在逐步上升，预计到2024年将达到67%。在2022至2023年间，台积电平均每年建设五个工厂，而今年计划建设的工厂数量增加至七个，包括在中国台湾建设三个晶圆厂、两个封装厂以及在海外建设两个工厂。