三星否认HBM芯片发热问题，与全球合作伙伴开展测试

　　据报道，据传三星最新款HBM芯片尚未通过英伟达测试，原因是芯片存在发热和功耗问题。

　　但三星电子发表声明予以否认，坚称正与多家全球合作伙伴顺利开展HBM芯片测试工作，并持续与其他商业伙伴紧密合作，保证产品质量与可靠性。

　　值得关注的是，三星近期已经大量生产其第五代HBM芯片——容量为24GB（8-Hi）或36GB（12-Hi）的HBM3E产品。

　　然而，与竞争对手SK海力士及美光相比，三星并未采用1b nm制程DRAM裸片，而是继续沿用1a nm颗粒，因此在能耗方面略显不足。

　　再加上此次引发的质疑，部分分析师对三星能否迅速从SK海力士手中抢回市场份额产生疑虑。