英特尔和竞争对手决战IC制造之巅

　　芯片巨头英特尔和围绕IBM和意法半导体（ST）的研究伙伴将分别在即将于12月在旧金山召开的国际电子器件会议（IEDM）上报告其在领先的IC制造技术方面各自的进展。

　　各研究团队将展示FinFET方法（英特尔称为三栅极）、完全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）技术、以及在20nm及更精微节点上体平面工艺的进展。

　　英特尔将提交其用于SoC应用的22nm FinFET技术的论文。在同一会议上，由CEA-Leti、ST、IBM、GLOBALFOUNDRIES和瑞萨等公司专家组成的研究团队将提交报告，论述其在20nm及更精微节点的超薄框和体（UTBB）FDSOI晶体管的多阈值电压策略。

　　ST也将报告UTBB工艺的转换能源效率，而IBM将描述一种22nm的SOI工艺。同时，三星的研究人员将发表研究论文，介绍其体20nm平面HKMG工艺的可扩展性。

　　英特尔业已采用22nm FinFET制造工艺技术生产其处理器。它将将其做法描述为一种CPU工艺，它还表示，该工艺还没有为实现最低功耗进行优化。英特尔还将提供其22nm三栅极SoC工艺的工程细节，并讨论使用该办法，如何为SoC应用搭建一个技术平台。

　　根据该论文的要点简介，这意味一系列高速、低待机功耗、高电压容限晶体管的实现，以及RF和混合信号处理能力的实现。

　　高速逻辑晶体管的亚阈值泄漏范围从100nA/每微米到1nA/每微米，而低功耗版本的泄漏则小于50pA/每微米。然而，该工艺保留了用于模拟电路和传统电路的1.8和3.3V晶体管。

　　根据该论文的要点简介，英特尔的22nm SoC平台还包括碳掺杂氧化互连和三种不同类型的SRAM位单元，以提供密度、性能和低电压操作选项。

　　在12月11日的另一场会议上，由IBM、ST、GLOBALFOUNDRIES、瑞萨、Soitec和CEA-Leti组成的团队撰写的报告将介绍被称为ETSOI、用于超薄绝缘体上硅的另一种22nm SOI工艺。该工艺有一个用于n型晶体管的硅沟道和一个用于p型晶体管的应变硅锗沟道。

　　IEDM将从12月10日至12日在希尔顿旧金山联合广场（Hilton San Francisco Union Square）召开。