SemiQ 开始针对 SiC 产品组合实施已知良品芯片(KGD)计划

　　近日，SemiQ已启动了已知良好芯片 (KGD) 筛选计划。该计划提供经过电气分类和光学检查的高质量 SiC MOSFET 技术。该技术已准备好进行后端处理，并且可以直接作为芯片连接。

 

　　SemiQ 的已知良好芯片保证了一致的电气参数，使客户能够在高压电源、牵引逆变器和功率调节系统等设备的构建中依靠可重复的性能来实现高生产线成品率。统一的芯片特性有利于高功率模块中各种器件的耦合。

 

 

　　SemiQ 表示，SiC 是一项强大的技术，支持全球可持续发展的努力。众所周知的优质芯片 SiC MOSFET具有显着的性能优势，包括一致的结电容、极小的插入损耗和强大的隔离度，这些对于高频应用至关重要。该计划使客户能够获得品质优良的模具。这些模具将提高生产效率，并在高效应用中提供一致、可靠的性能。

 

　　KGD 计划目前已生效，适用于 SemiQ 的 QSiC™ 1200V SiC MOSFET 的整个系列，其电阻范围为 20mΩ 至 80mΩ。该产品组合有助于在汽车、电动交通、可再生能源、工业电力和其他应用等多个领域实现强大而有效的电气化。

 

　　KGD 设备在被分成单独的单元后交付，它们可以放置在多种类型的载体介质上，例如蓝色胶带、预固化 UV 胶带或卷带。这使得客户可以更轻松地将设备整合到自己的流程中。