中国AI芯片和HBM市场的未来

　　随着ChatGPT引领AI市场发展，HBM存储市场迅速崛起。据TrendForce预测，2022年，全球HBM容量约1.8亿GB，2023年增幅约60%，达2.9亿GB；2024年将继续攀升30%。若按每GB售价20美元计算，2022年HBM市场规模约为36.3亿美元，预估2026年将达127.4亿美元，年复合增长率（CAGR）约37%。

　　然而，全球HBM产能几乎被SK海力士、三星和美光垄断，其中SK海力士占据AI GPU市场80%份额，是Nvidia HBM3内存独家供应商，且已于今年3月启动HBM3E量产。美光和三星等竞品正积极研发自家HBM产品，试图打破SK海力士的市场主导地位。而中国厂商在这一领域基本处于空白状态。

　　此外，受美国BIS 2022年针对高算力芯片的规则3A090影响，英伟达等厂商降低芯片互联速率以维持对华供应。美国商务部还指控中国企业通过海外子公司或其他途径规避许可证规定获取先进计算芯片。2023年新规调整了3A090芯片及相关物项的技术指标，扩大了许可证要求及直接产品原则的适用范围，并加强了先进计算最终用途管控。因此，包括先进GPU、HBM产品以及制造AI芯片和HBM的先进封装设备在内，对华供给基本中断。

　　芯片与存储制造是制约中国AI产业发展的瓶颈，其中2.5D或3D先进封装、芯片堆叠等核心工艺设备至关重要。目前，海力士、三星和美光均采用TCB工艺，其中海力士采用TCB MR-MUF，三星和美光则主要使用TCB NCF技术。但随着HBM技术的不断升级，如HBM4的出现，堆叠层数由8层提升至16层，IO间距缩减至10微米左右，TCB工艺逐渐向无flux方向发展。

　　近年来，普莱信智能与客户密切合作，成功研发出TCB工艺和整机，并构建了纳米级运动控制平台、超高速温度升降系统、自动调平系统及甲酸还原系统。在此基础上，普莱信智能打造了Loong系列TC Bonder技术平台，并针对AI芯片、HBM等产品需求，推出Loong WS及Loong F系列产品。

　　其中，Loong WS可兼容C2W及C2S封装形式，最高精度达±1um，与国际领先水平相当，支持TCB NCF、TCB MR-MUF等多种工艺。

　　Loong F作为专为HBM3E和HBM技术设计的无flux工艺设备，在Loong WS平台基础上新增甲酸还原系统，消除堆叠工艺中的flux不良影响，实现coper-coper键合，支持最小IO pitch在15微米。展望未来，随着HBM4堆叠层数增加和IO数量激增，Loong F有望成为最具性价比的解决方案。

　　我们坚信，随着中国半导体技术的进步和普莱信智能Loong系列TCB设备的推出与量产，国产厂商在AI芯片和HBM产品研发与制造方面将迎来突破性进展。