安森美半导体推出致能展频时脉产生器IC

　　安森美半导体（ON Semiconductor）推出新系列的致能展频时脉产生器积体电路（IC），管理时脉源的电磁干扰（EMI）及射频干扰（RFI），为所有依赖于时脉的信号在系统範围内降低EMI。

　　P3P8203A LVCMOS峰值EMI降低时脉产生器的目标应用为显示卡、计算及消费等应用。此元件支援3.3 伏（V）输入电压，频率範围为18 MHz至36 MHz，通过外部电阻模拟控制展频偏差。系统设计人员选择该外部电阻之不同值在输出提供所想要额度的展频偏差，便能更灵活地定制应用，使在其应用中取得达致降低EMI的要求。P3P8203A採用8接脚、2 mm x 2mm x 0.8 mm WDFN封装，非常适合用于印刷电路板（PCB）空间受限的应用。工作温度範围为0°C至+70°C。

　　P3MS650100H和P3MS650103H LVCMOS峰值EMI降低时脉产生器非常适合用于PCB空间受限的应用，如手机和平板电脑等可携电池供电设备；在这些应用中， EMI/RFI可能是重大挑战，而遵从EMI/RFIF规範是先决条件。这两款通用新展频型时脉产生器採用尺寸仅为1 mm x

　　1.2 mm x 0.8 mm的微型4接脚WDFN封装，提供业界最小的独立式致能方案，用于降低时脉源及源自时脉源的下行时脉和资料信号的EMI/RFI。 P3MS650100H和P3MS650103H支援1.8 V至3.3 V的输入电压範围，典型展频偏差为0.45%至1.4%，减小15 MHz至60 MHz频率範围之时脉源的EMI/RFI。工作温度範围为-20ºC至+85ºC。

　　安森美半导体工业及时序产品副总裁Ryan Cameron说：「 符合EMI规範同时控制成本及儘量减少PCB占位面积，是可携及计算应用的重大挑战。我们新的EMI降低IC解决这些挑战，提供高性价比的方案，降低时脉源及源自时脉源的下行时脉和资料信号的EMI/RFI。设计工程师在设计週期及早应用这些元件，可无须採用其他方案，也无须加入高成本的额外PCB层或遮罩来处理EMI/RFI问题。」

　　P3P8203A採用8接脚WDFN封装，每批量10，000片的单价为0.44美元。P3MS650100H及P3MS650103H採用4接脚WDFN封装，每批量10，000片的单价为0.24美元。