富士通半导体MB86L13A获EDN China 2012年度 创新奖之通信与网络类手机组最佳产品

　　上海，2012年11月16日 – 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，其面向LTE专向应用而开发的LTE(FDD和TDD)优化收发器---MB86L13A荣获EDN China 2012年度创新奖“通信与网络类手机组”之最佳产品奖。 此芯片在延续富士通半导体第一代多模多频LTE射频收发器的特性之外，可帮助现有的手机客户在其2G/3G产品基础上快速增加4G LTE功能，实现最快速的4G手机产品(同时支持2G/3G)研发。

　　EDN创新奖源自美国硅谷，自2005年引入中国之后，已成为在中国微电子领域最具影响力的奖项之一。 在2012年，共有71家公司的130款产品报名EDN China创新奖。富士通半导体的4G LTE 射频收发芯片MB86L13A芯片从众多产品中脱颖而出，折桂于通信与网络类的手机组，彰显这款产品的创新性及先进性。

　　MB86L13A支持FDD-LTE和TDD-LTE两种4G制式，可以帮助无线终端公司开发功能强大的LTE终端(手机，数据卡，平板电脑等)。该芯片采用富士通开拓的RFIC设计架构，无需外部的低噪声放大器(LNAs)和级间声表面波(SAW)滤波器，可覆盖700 MHz～2700 MHz的频谱。其多个发送、接收和分级端口，可为漫游所需的映射端口和基带提供极大的灵活性。该收发器使用公开标准MIPI DigRF D4G V1.0基带接口，支持全球的FDD频段1-21, 23-25和TDD频段33-41。此外，MB86L13A还能支持高达20MHz的全部LTE带宽。

　　“非常高兴能够获得2012年的EDN创新奖之最佳产品奖,也非常感谢EDN China对我们的认可”富士通半导体亚太区市场副总裁郑国威先生表示：“目前，受业界普遍看好的LTE将成为4G技术的主流。许多基带供应商都在为既有的2G/3G解决方案追加强有力的LTE能力，而MB86L13A可加快这些产品的上市时间，快速地在既有2G/3G方案上增补多频的LTE功能。”