富士通半导体明年量产氮化镓功率元件

　　富士通半导体有限公司***分公司宣佈，成功透过硅基板氮化镓（GaN）功率元件让伺服器电源供应器达到2.5kW的高输出功率，并扩大电源供应的增值应用，实现低碳能源社会。富士通半导体的GaN功率元件将于2013年下半年投入量产。

　　相较于传统的硅功率元件，GaN功率元件拥有较低导通电阻的特性，可支援高频率运作。这些特性有助于提高电源供应器的转换效率，并可缩小体积。富士通半导体计画将硅基板GaN功率元件商用化，藉由增加硅晶圆直径达到低成本量产的目标。富士通半导体自2009年起已着手开发GaN功率元件之量产技术，并于2011年开始提供GaN功率元件样品给特定的电源供应器合作伙伴。富士通半导体未来也将持续为应用于电源供应器中的GaN功率元件进行最佳化。
 

　　富士通半导体近期与富士通研究所（Fujitsu Laboratories Limited）进行多项共同技术开发计画，包括开发製程技术来增加硅基板上的高品质GaN晶体数量、开发元件技术（如：电极最佳化设计）来控制开关切换时上升的导通电阻，以及设计可支援GaN元件高速开关的电源供应器电路配置。这些技术让富士通半导体在GaN功率元件的功率因数校正（power factor correction）电路中，成功达到高于传统硅元件效能的转换效率。富士通半导体还设计了一种具有上述功率因数校正电路的伺服器电源供应器样品，输出功率可达2.5kW。

　　富士通半导体成功开发这项全新技术后，有助于扩大其GaN功率元件在高压、大电流时的应用範畴。

　　富士通半导体近期在会津若松 （Aizu-Wakamatsu） 厂区建造了6吋晶圆的量产生产线，而GaN功率元件也将在2013年下半年进入量产阶段。富士通今后将提供满足客户需求的功率元件、以及电路设计技术支援服务，藉以支援用途广泛的低损耗、高整合度的电源供应器。富士通半导体预计该GaN功率元件可在2015会计年度达到100亿日元的销售目标。

　　富士通半导体将于2012年11月14-16日在太平洋横滨会展中心（Pacifico Yokohama）举行的2012嵌入式技术展（Embedded Technology 2012）中展示GaN功率元件。
 

　　有关氮化硅的（GaN）的介绍
 

　　GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

　　GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。