广电计量联合举办半导体技术创新发展论坛，标准引领创“芯”发展

5月25日上午，半导体技术创新发展论坛在广电计量科技产业园顺利举办，来自全国各地100多名国内顶尖的高校专家、行业领袖，共同聚焦SiC、GaN等前沿技术领域，探讨技术创新、标准制定及产业化应用。

中国科学院半导体研究所原副所长、第三代半导体产业技术创新战略联盟（以下简称第三代半导体联盟）副理事长兼秘书长杨富华，广电计量检测集团股份有限公司副总经理陆裕东出席论坛并致辞。

半导体和集成电路是支撑现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量，也是新质生产力的典型代表。本次论坛以“创‘芯’驱动发展，标准引领未来”为主题，由第三代半导体联盟、广州数字科技集团有限公司指导，第三代半导体联盟标准化委员会、广电计量联合主办，广东工业大学集成电路学院、是德科技（中国）有限公司协办。广电计量集成电路测试与分析事业部副总经理李汝冠，广东工业大学集成电路学院副院长、教授刘远共同担任主持。

杨富华在致辞中表示，2023年第三代半导体（SiC、GaN）功率器件的市场153.2亿元，同比增长45%，产业高质量发展空间很大。第三代半导体产业高质量发展离不开标准、检测、科技创新的支持，第三代半导体联盟团队十余年都在探索推动科技创新、标准研制与产业发展的协同机制，希望以标准化为桥梁，促进创新技术成果向产业化的发展，协调上中下游的协作创新。

陆裕东在致辞中表示，作为工信部、发改委及广东省、江苏省和上海市支持挂牌的集成电路公共服务平台，广电计量是国内领先的半导体质量评价与可靠性解决方案服务提供方，同时也是国内首家进行车规级芯片验证的国有上市第三方服务机构，广泛参与了半导体与集成电路的评估验证、标准研制和产业化应用，积极为行业创新发展注入新动能。

会上，来自全国顶尖高校学者、行业专家、企业代表，聚焦SiC、GaN等前沿技术领域分享最新技术创新成果。

 

中国科学院空间应用中心载人航天空间应用系统总体元器件技术负责人、正高级工程师张泽明作《面向航天应用的半导体器件测试与标准》报告。

工业和信息化部电子第五研究所研究员陈媛作《SiC MOS功率器件标准体系构建及动态可靠性测试挑战》报告。    

 

重庆大学电气工程学院教授、博士生导师曾正作《SiC MOS功率器件开关测试及实践》报告。    

广电计量集成电路测试与分析中心总监江雪晨作《SiC MOSFET超越Si器件标准的可靠性测试及筛选方案》报告。

 

电子科技大学集成电路科学与工程学院教授、博士生导师明鑫作《功率GaN健康驱动策略研究》报告。

北京大学集成电路学院研究员、博士生导师魏进作《增强型GaN功率器件动态阈值电压：原理与解决方案》报告。

 

西安电子科技大学广州研究院副教授李祥东作《硅基GaN外延片电性分析》报告。

广东工业大学集成电路学院教授贺致远作《GaN HEMT功率器件标准体系构建思考及建议》报告。

 

其中广电计量集成电路测试与分析中心总监江雪晨分享《SiC MOSFET超越Si器件标准的可靠性测试及筛选方案》的报告。江雪晨表示，广电计量为半导体全产业链提供专业的失效分析、晶圆级制造工艺分析、元器件筛选、可靠性测试等服务，在SiC MOSFET可靠性评估及筛选领域积累了丰富的实践经验，构筑了创新发展领先优势。

同期，联盟还在广电计量科技产业园分别召开了SiC MOSEET器件开关动态测试方法标准起草、GaN的标准体系标准起草的闭门会议，定向邀请行业专家开展“头脑风暴”，共同探讨行业标准与检测的最新进展和未来趋势，以标准引领半导体产业高质量发展。

高质量发展离不开标准的支撑与引领，产业的创新发展需要上中下游的协同推进，未来广电计量将加强产学研用技术交流与合作，打造一流半导体与集成电路协同创新平台，推进形成更多的共识，共建产业创新发展生态，支撑SiC/GaN功率器件的新兴市场开拓，为新质生产力高质量发展注入强劲动能。

 

审核编辑：刘清